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DDR5 記憶體預計明年殺到！？

據外媒報導稱，由於種種原因所致，Intel和AMD整體要在明年才能拿出支持DDR5記憶體的平台了。 SAMSUNG方面也已經表示，2021年量產DDR5記憶體，並且使用EUV技術，製作將會在韓國平澤的新工廠進行，三星同時宣布第一批採用EUV技術的DDR4記憶體已經放置了100萬。 SAMSUNG估計，使用EUV技術生產DDR5記憶體，其三星表示EUV技術減少了激光中多次照射的重複步驟，並提高了光刻的準確度，從而提高了性能，提高了產量，並改變了開發時間。 12英寸D1a晶圓的生產效率會
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SAMSUNG 旗艦手機 S20 耐用測試報告出爐

SAMSUNG最新推出的旗艦手機Galaxy S20、Galaxy S20 Plus和Galaxy S20 Ultra，雖然它們都是使用相同的材料製造，或者您會認為它們能夠承受相同程度的磨損。 但不幸，外媒有一段新發佈的影片測試，當中展示了最新的Galaxy S20耐久性測試結果，再一次證明一分錢一分貨的道理是沒錯的。 電話保險及維修公司SquareTrade在Galaxy S20，Galaxy S20 Plus和Galaxy S20 Ultra上執行了“易損性”的測試，並上傳了影片至Yo
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Samsung 下代 PCIe 4.0 NVMe SSD 980 Pro 現身　讀取速度可達 6500MB/s

Samsung 一直都未有下一代 NVMe SSD 的消息，在 CES 2020 上就展出了相信是一代的產品 980 Pro。從標籤上可以看到 PCIe 4.0 的字眼，但目前來說相關的資料仍然有限，只知道理論讀取速度上可達 6500MB/s，至於寫入速度則是 5000MB/s，數字上較現有同級採用 Phison E16 控制器的產品快，但隨著 Phison E18 即將推出，屆時速度將有望突破 7GB/s，因此當 980 Pro 推出之時是否快的 NVMe SSD 仍是未知之數。容量方面，分別
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1 萬億寫入壽命 !! 有傳 Samsung 1Gb eMRAM 生產良率已達 90%

在今年 3 月的時候，Samsung 是全球第一間宣佈量產 eMRAM，當時已是基於 28nm FD-SOI 的成熟工藝，記憶體容量為 8Mb，可廣泛應用於微控制器、物聯網與 AI 領域。 eMRAM 是一種非易失性記憶體，前景一直被睇好，Intel、IBM、Samsung 等巨頭多年都在研究，讀寫速度亦媲美 SRAM、DRAM 等傳統記憶體，而且又是非易失性，即斷電後數據可保存下來，綜合了傳統 DRAM 和 SRAM 的優點。 Samsung 所量產的 eMRAM 基於磁阻的存儲，在非
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Samsung 記憶體生產設備受污染，損失有機會遠超 10 億韓元

對於近期 Samsung 記憶體廠房發生設備污染事件，已有更多的細節公開。時間點目前有兩種說法，前周與數週前，韓國媒體披露地點位於器興 (Giheung) 工廠，事故原因是 8" 晶圓生產設備受到污染。 Samsung 發言人對外證實傳言為真，但強調目前生產狀況正常，此意外損失預計 10 億韓元 (~670 萬元港幣)。不過，一些專家指出是次實際損失遠超 Samsung 公佈的這個數字，而且官方並未有統計出來。早於今年初，Samsung 的第一代 1x nm 記憶體也在工廠階段被查出有質量
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