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Samsung
[XF 新聞] Samsung HBM4E 記憶體突破 3.25TB/s 頻寬 超越 HBM3E 兩倍提升 AI 運算效能
Samsung HBM4E 記憶體其頻寬高達 3.25TB/s，是目前 HBM3E 的 2.5 倍。近日 Samsung 在 OCP（開放計算計畫）全球峰會上展示了這一技術突破，證明其高頻寬記憶體（HBM）技術已邁向全新里程。
HBM4E 記憶體的每堆疊引腳速度達到驚人的 13Gbps，總體頻寬突破 3.25TB/s，並具備極高的能源效率，幾乎是 HBM3E 的兩倍。這一成果得益於 Samsung 自主的半導體製造工藝（4nm），使其在控制成本與提高效能方面擁有優勢。值得注意的是，Sams
[XF 新聞] Galaxy Ring 電池膨脹 YouTuber 戒指卡手緊急送醫
近日，一位知名科技 YouTuber Daniel Rotar（ZONEofTECH）在社交媒體上分享了他的驚險經歷。Rotar 表示，他佩戴的 Samsung Galaxy Ring 智能戒指的電池發生膨脹，導致戒指緊緊卡在他的手指上，並引發疼痛。他無法自行取下戒指，最終不得不前往醫院緊急處理。
Rotar 在 X 上發文說明，他原本在長時間旅行中，但因戒指問題被迫前往醫院接受治療，並且無法登機。他隨後分享了戒指內部膨脹的照片，展示了電池異常的情況。
對此，Samsung
[XF 新聞] Samsung 推出 8TB 9100 Pro SSD 結合超高速度與容量
Samsung 宣布推出容量高達 8TB 的 9100 Pro 系列固態硬碟，將於 9 月 2 日正式上市。這款新型 SSD 採用了最新的 PCIe 5.0 技術，提供了突破性的讀寫速度，讀取速度可達 14,800MB/s，寫入速度則高達 13,400MB/s，超越了其前代產品如 Samsung 990 Pro 的性能表現。
9100 Pro 系列早在今年 2 月推出了 1TB、2TB 和 4TB 的容量版本，而 8TB 的升級容量無疑進一步鞏固了其在高端存儲市場中的地位。Samsung
[XF 新聞] Samsung 10 月推三折手機 同場將推出 XR 頭戴顯示設備
Samsung 近日正式確認計劃於 10 月推出其備受期待的三折手機及 XR（擴展現實）頭戴顯示設備，成為該領域的領先者。此次發布計劃於 Samsung 最新財報會議中公布，標誌著 Samsung 在摺疊設備與沉浸式技術上的新突破。
三折手機是 Samsung 在摺疊屏幕技術上的全新進展，該設備採用內向折疊設計，使用兩個鉸鏈，與華為 Mate X 的外向折疊設計相比，提供了更好的屏幕保護及耐用性。這款手機有望成為市場上首款主流的三折設備，幫助 Samsung 在摺疊手機市場鞏固領先地位。值
[XF 新聞] Samsung 兩年內推出第三代 2nm 製程 第二代 2nm 良率希望在未來幾個月內提升至 50%
Samsung 計劃在未來兩年內推行第三代 2nm 製程技術（稱為“SF2P+”），並以提高良率為首要目標，而非急於進一步開發更先進的製程技術。由於遇到多種技術挑戰，Samsung 推遲了下一代 1.4nm 製程，但這並不代表該公司在半導體領域的失敗，而是展示了其專注於完善現有技術的策略。
據報導，Samsung 在 7 月 1 日的 SAFE 論壇上展示了第三代 2nm 製程技術，該技術基於第二代 2nm 節點 “SF2P” 進行了「光學縮減」（Optic Shrink）改進。新技術相比
