3nm

1nm 製程新突破 !! 台大聯同台積電、美國麻省理工學院研發全新 2D 材料

半導體行業持續向更精密的製程發展,5nm、7nm 已為目前的先進製程,而 3nm、2nm 亦準備在即。近日有消息指,台大 (NTU) 攜手與台積電、美國麻省理工學院 (MIT) 的共同研究項目,發現了 2D 材料結合半金屬鉍 (Bi) 能達到極低的電阻,接近量子極限。這個發現有助實現 1nm 以下的製程。而這項研究已於「自然期刊 (Nature)」公開發佈。 目前半導體的主流製程發展,到達到坐 5nm 望 3nm 的位置,而晶片單位面積能容納的電晶體數目,亦逼近半導體主流材料「矽」的物理極

3nm 製程、首用大小核 - AMD 全新 Zen 5 架構細節曝光

近日來自 Moepc 的爆料指,原定的 6nm Zen3+ 架構取消了,取而代之的將會是 Zen3 XT / Zen3 Refresh,即類似 Ryzen 3000XT 系列將原有系列再加強下去,而屆時 Zen3 Refresh 將屬於 Ryzen 6000 系列,而發佈時間將比 Zen 3+ 遲一點。 而 Zen4 架構的 Ryzen 7000 系列將使用台積電 5nm 製程,IPC 效能將提升超過 20%,支援 DDR5、PCI-E 5.0,CPU 插槽將更新至 AM5。由這幾代的改變

試產進度比預期好 - 有傳台積電 3nm 製程的量產期將提早

於上年,台積電 CEO 魏哲家在技術論壇上表示,3nm 預計於 2021 年試產,並預計於 2022 年下半年量產。不過據財聯社報導,供應鏈傳出消息指台積電 3nm 製程的進展順利,試產進度比預期好,在 3 月已開始風險性試產並小量交貨。 而台積電董事長劉德音則透露 3nm 將按計劃時程發展,而進度甚至較原先預期提前。這意味 3nm 量產期可望較原先預計的 2022 年下半年推前,但台積電對此回應指不評論市場傳聞。

電壓僅需 0.23V !! Samsung 率先展示 3nm SRAM 晶片成品,並於明年量產

近年來在半導體的研發一直是由台積電領先,而稍微比較跟得上的就只有三星了,不過後者的產物卻一直飽受質疑。而在 IEEE ISSCC 大會上,三星首次展示出其採用 3nm 製程生產的晶片,這是一顆 256Mb (32MB) 容量的 SRAM 存儲晶片,也是新製程落地傳統的第一步。 而在三星的路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新製程節點,其他皆為升級改進型,包括 11 / 8 / 6 / 5 / 4nm 等等。這次三星將在 3nm 上第一次應用到 GAAFET 技術,再

Intel 也請外援 ? 台積電今年提早投產 3nm 製程

台積電在生產製程方面,一直領先業界,三星亦望塵莫及。而最新消息指,台積電將於今年下半年提早投產 3nm 製程,主要是進行風險性試產與小規模量產。 由此發展看來,台積電明年將進入大規模量產 3nm,初期產能估計每月約 3 萬塊晶圓左右,到了 2023 年可達每月 10.5 萬塊,趕上現時 5nm 的產能,而後者在上年 Q4 的產能為每月 9 萬塊。根據台積電的數據,3nm 雖仍然使用 FinFET,但對比 5nm 的電晶體密度增加 70%,效能可提升 11%,或功耗可降低 27%。