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台積電 3nm N3 製程無長進 ? 對比自家 5nm N5 製程的電晶體密度近乎不變

台積電早前曾宣稱其 3nm N3 製程對比 5nm N5 製程,可將密度增加 60 - 70% 之多。不過從最新的官方資料上顯示,結果並不如此。 在台積電最新一份論文中承認,其 N3 製程的 SRAM 單元面積為 0.0199 平方微米,對比 N5 製程的 0.021 平方微米,僅縮小了 5%。而更慘烈的是,其第二代 3nm 製程 N3E 的 SRAM 單元面積為 0.021 平方微米,即與 N5 製程一樣沒有差別。在此情況下的電晶體密度為每平方毫米約 3,180 萬個。 而

Intel 先進製程晶片進展良好,18A 製程預計將提前準備投產

據 Intel 最新公佈的消息中,其 4nm 製程晶片已準備投產,將會用於包括 Meteor Lake (第14代) 處理器、ASIC 網絡產品等。另外,Intel 3nm、20A (2nm,其中 A 代表「埃米」,1nm=10A)、18A (1.8nm) 的進展一切順利,更略微提前。 當中 Intel 3nm 將在明年下半年投產,用於 Granite Rapids 和 Sierra Forest 數據中心產品、而 Intel 20A 則計劃 2024 上半年準備投產,首發 Arrow L

Intel 或取消 3nm 訂單 - 台積電 3nm 首發客戶僅剩 Apple 一個

台積電 3nm 製程於今年下半年才會開始量產,而產品會於明年開始出貨。原本 Intel 和 Apple 會是首批使用 3nm 的客戶,不過從最近的傳聞看來,Intel 3nm 訂單幾乎全部都取消了,而第 14 代處理器的 GPU 單元也趕不上 3nm 製程了。 隨著 Intel 的退出,首發 3nm 的客戶就只剩下 Apple 了,而今年 iPhone 14 系列的 A16 晶片也沒能趕上,需待新一代的 M 系列處理器及 A17 處理器。 台積電 3nm 製程雖然很好、很強,

紙面數據優於台積電 - Samsung 宣佈 3nm 製程良率已改進,並開始量產

最近,Samsung 的新程製工藝傳出不少負面消息,曾有傳聞良率只有 35%,因此嚇走了 NVIDIA、Qualcomm 等客戶,不過 Samsung 一直否認。不過最新消息指其 3nm 製程已經量產,而最關鍵的良率也在改善中。 而這個消息是由 Samsung 管理層向董事會報告的,顯示出已對 3nm 製程的信心,同時表示良率已經改善,不過實際數據還沒有洩露出來。 回顧一下資料,Sansung 3nm 節點是他們押注晶片製程超越台積電的關鍵,因為台積電的 3nm 不會用上新一

虛報良率數字 ?!! 客戶發現 Samsung 5/4/3nm 製程良率低於預期,被揭偽造良率事件

在半導體晶片代工上,Samsung 與台積電相比前者的製造工藝一直都差幾個檔次。Samsung 代工的 NVIDIA RTX 30 系列顯卡、Qualcomm Snapdragon 8 系列處理器及自家 Exynos 2200 處理器,不論效能還是能源效益亦為人詬病。 據 DigiTimes 的報導,Samsung Electronics 最近傳出了一單醜聞,部分在職員工、前員工涉嫌偽造與虛報 5nm、4nm、3nm 製程的良率。據了解 Samsung 在批准 5nm、4nm 製程