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半導體行業持續向更精密的製程發展，5nm、7nm 已為目前的先進製程，而 3nm、2nm 亦準備在即。近日有消息指，台大 (NTU) 攜手與台積電、美國麻省理工學院 (MIT) 的共同研究項目，發現了 2D 材料結合半金屬鉍 (Bi) 能達到極低的電阻，接近量子極限。這個發現有助實現 1nm 以下的製程。而這項研究已於「自然期刊 (Nature)」公開發佈。 目前半導體的主流製程發展，到達到坐 5nm 望 3nm 的位置，而晶片單位面積能容納的電晶體數目，亦逼近半導體主流材料「矽」的物理極

於上年，台積電 CEO 魏哲家在技術論壇上表示，3nm 預計於 2021 年試產，並預計於 2022 年下半年量產。不過據財聯社報導，供應鏈傳出消息指台積電 3nm 製程的進展順利，試產進度比預期好，在 3 月已開始風險性試產並小量交貨。 而台積電董事長劉德音則透露 3nm 將按計劃時程發展，而進度甚至較原先預期提前。這意味 3nm 量產期可望較原先預計的 2022 年下半年推前，但台積電對此回應指不評論市場傳聞。

近年來在半導體的研發一直是由台積電領先，而稍微比較跟得上的就只有三星了，不過後者的產物卻一直飽受質疑。而在 IEEE ISSCC 大會上，三星首次展示出其採用 3nm 製程生產的晶片，這是一顆 256Mb (32MB) 容量的 SRAM 存儲晶片，也是新製程落地傳統的第一步。 而在三星的路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新製程節點，其他皆為升級改進型，包括 11 / 8 / 6 / 5 / 4nm 等等。這次三星將在 3nm 上第一次應用到 GAAFET 技術，再

台積電在生產製程方面，一直領先業界，三星亦望塵莫及。而最新消息指，台積電將於今年下半年提早投產 3nm 製程，主要是進行風險性試產與小規模量產。 由此發展看來，台積電明年將進入大規模量產 3nm，初期產能估計每月約 3 萬塊晶圓左右，到了 2023 年可達每月 10.5 萬塊，趕上現時 5nm 的產能，而後者在上年 Q4 的產能為每月 9 萬塊。根據台積電的數據，3nm 雖仍然使用 FinFET，但對比 5nm 的電晶體密度增加 70％，效能可提升 11％，或功耗可降低 27％。

由於 2021 年春季台灣地區降雨量偏低，目前台灣正面遇到供水危機。對峴半導體生產廠商而言，每天用水量龐大，若供水出問題恐怕影響生產。而台積電證實為了確保生產所需用水，包括新竹、台中、台南各科學園區日前已陸續啟動水車供水相關備案措施，包括路線、車次、順暢度等壓力測試。 台積電表示，以水車載水確實會增加成本，不過首要確保維持正常營運。根據台積電的報告統計，其於竹科、中科、南科等三大園區的用水量每日共愈 15 萬噸，約佔科學園區的三分之一使用量，但節水成效按年升高。另外中科半導體、光電