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隊友加入攜手解難 - 有傳 ASML 第二代 EUV 光刻機開發遇瓶頸,東京電子加入提供顯影技術支援

生產先進製程的晶圓片,EUV 光刻機是關鍵之一。而荷蘭 ASML 是全球唯一量產 EUV 光刻機的廠商,台積電、Samsung、Intel 的先進製程晶片都以其 EUV 曝光機生產。目前每部第一代的 EUV 光刻機的價格近 1.5 億美元,而第二代的產品亦已在開發階段。 不過有傳第二代 EUV 光刻機 NXE:5000 研發階段遇到瓶頸,原預計最快 2023 年問世,現在則可能要到 2025 - 2026 年,延後近 3 年,業界憂慮將影響半導體製程開發。而近日日本最大半導體鍍膜蝕

一下子延期 3 年 !! ASML 第二代 EUV NXE:5000 光刻機推遲上市,售價料曝漲至 3 億美金

ASML 是全球唯一有量產 EUV 光刻機的生產商,而像是 7nm、5nm 甚至 3nm、1nm 等先進製程皆依賴 EUV 光刻機。目前 EUV 光刻機單台售價已逾 1 億美元,購買的成本高昂。 現時 ASML 市售的 EUV 機種還是第一代,EUV 波長約在 13.5nm,物鏡的 NA 值孔徑為 0.33,發展了一系列型號。第一代中,最早量產上市的為 NXE: 3400B,不過其生產晶圓效能僅為 125PWH,而現時出貨主力為 NXE: 3400C,產能提升至 135WPH,底還有會有 NX

1nm 製程新突破 !! 台大聯同台積電、美國麻省理工學院研發全新 2D 材料

半導體行業持續向更精密的製程發展,5nm、7nm 已為目前的先進製程,而 3nm、2nm 亦準備在即。近日有消息指,台大 (NTU) 攜手與台積電、美國麻省理工學院 (MIT) 的共同研究項目,發現了 2D 材料結合半金屬鉍 (Bi) 能達到極低的電阻,接近量子極限。這個發現有助實現 1nm 以下的製程。而這項研究已於「自然期刊 (Nature)」公開發佈。 目前半導體的主流製程發展,到達到坐 5nm 望 3nm 的位置,而晶片單位面積能容納的電晶體數目,亦逼近半導體主流材料「矽」的物理極

ASML 可生產 1nm 晶片的 EUV 光刻機已設計完成

在今個月中,日本東京舉辦了一場 ITF 論壇。於論壇上,與 ASML 合作研發光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 公佈了 3nm 及以下製程在微縮層面的技術細節。 現昤為止,ASML 對於 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 都有了清晰的路線規劃,且 1nm 時代的光刻機體積將會增大不少。 據指目前台積電、三星的 7nm、5nm 製造中已經引入了 NA=0.33 的 EUV 光刻設備,2nm 後則需要更高解像度的光刻設備,亦即是 NA=0.55。而剛好