Samsung

在過去幾年 Samsung 一直有在提高手機的電池容量和充電速度，不過自從 2016 年的 Note 7 電池事件後，在電池技術這部分上就變得十分保守了，直到今年的 Note 9 才有所增大電池容量。而最近，有消息指 Samsung 會在明年的 Galaxy S10 中加入更先進的快充技術。 據爆料人士 Ice Universe，Samsung 明年的新旗艦機將會與 15W 充電講再見了，並提到會用到更快的充電技術。目前 Samsung 手機上使用自家開發的 AFC 技術，兼容 Q

2018 年還有三個禮拜就結束了，對於半導體行業來說，這兩年因為記憶體價格大漲而出現了一輪牛市。但 2019 年的風光不再，半導體市場產值大漲的局面不會有了，以往跑贏大市的 DRAM、 NAND FLASH 晶片出年都通通要減價，這個趨勢已經無法阻擋了。那 2019 年 DRAM 跟 NAND FLASH 到底會降價多少呢? Citigroup 給出的預測顯示明年 NAND FLASH 會降價 45 %，DRAM 則會跌 30%，而且Q2 前是看不到價格底線。這不就是對消費者的大好消息嗎 ?

AMD 上星期正式發佈 RX 590 顯示卡，架構跟 RX580 也是 Polaris，不過進化到 12 nm 製程，除了頻率提升之外，功耗、溫度並未有降低。近日AMD 向 Techpowerup 表示，12 nm 的 Polaris 由2家晶圓廠代工，分別為 GLOBALFOUNDRIES 與 Samsung。 GF 12 nm FinFET 節點名為 GloFo 12LP，而跟 Samsung 的 11LPP 有很多相似之處，GloFo 12LP 是源自於 Samsung 授權

Samsung 在本月初的開發者大會 (SDC 2018) 上，帶來未來手機可能應用到的一些屏幕設計，其中包括有 New-Infinity、Infinity-U、 Infinity-V、Infinity-O，當然這些設計。之前已經有一些消息曝光，所以有可能是 OEM 方案或者是自用方案。而「鑽孔屏幕」當首個先鋒面向大眾，Samsung Galaxy A8s 就是首款採用 Infinity-O 「鑽孔屏幕」的手機。 Samsung Galaxy A8s 的規格：6.36" FHD L

Samsung 最近發布了新的 SSD - 860 QVO 系列，當中 Q 代表 QLC，不過 Samsung 聲稱它為「4bit MLC」、「V-NAND」。 Samsung 860 QVO SSD 採用 MJX 主控晶片，搭配第四代 NAND 64層 3D QLC NAND Flash 記憶體，容量的提供 1TB、2TB 以及 4TB 三種，使用 SATA 6Gbps 介面，2.5 吋外觀，最高讀取速度為550 MB/s，寫入520 MB/s，4K 隨機讀取 97,000 IO