Samsung

台積電/三星 2nm 爭霸戰 造出來成本太高

根據台積電的規劃,他們今年上半年就會量產 5nm EUV 工藝,下半年產能提升到 7-8 萬片晶圓/月,今年的產能主要是供給 Apple 和華為。台積電的 3nm 工藝今年也會啟動建設,三星更搶先宣佈了 3nm GAA 工藝。   根據三星的說法,與 5nm 制程相比,3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了35% 以上,功耗則降低 50%,性能提高約 30%。為了確保在 5nm 之後保持優勢,三星、台積電都會投入巨額資金建造新晶圓廠。而 3nm 工藝也不是摩爾定律的終點,

Samsung 下代 PCIe 4.0 NVMe SSD 980 Pro 現身 讀取速度可達 6500MB/s

Samsung 一直都未有下一代 NVMe SSD 的消息,在 CES 2020 上就展出了相信是一代的產品 980 Pro。從標籤上可以看到 PCIe 4.0 的字眼,但目前來說相關的資料仍然有限,只知道理論讀取速度上可達 6500MB/s,至於寫入速度則是 5000MB/s,數字上較現有同級採用 Phison E16 控制器的產品快,但隨著 Phison E18 即將推出,屆時速度將有望突破 7GB/s,因此當 980 Pro 推出之時是否快的 NVMe SSD 仍是未知之數。容量方面,分別

1 萬億寫入壽命 !! 有傳 Samsung 1Gb eMRAM 生產良率已達 90%

在今年 3 月的時候,Samsung 是全球第一間宣佈量產 eMRAM,當時已是基於 28nm FD-SOI 的成熟工藝,記憶體容量為 8Mb,可廣泛應用於微控制器、物聯網與 AI 領域。 eMRAM 是一種非易失性記憶體,前景一直被睇好,Intel、IBM、Samsung 等巨頭多年都在研究,讀寫速度亦媲美 SRAM、DRAM 等傳統記憶體,而且又是非易失性,即斷電後數據可保存下來,綜合了傳統 DRAM 和 SRAM 的優點。 Samsung 所量產的 eMRAM 基於磁阻的存儲,在非

Intel 公開闢除謠言:Samsung 代工 Intel CPU 的消息是假的

近日有韓國媒體指,Intel 會將 14nm CPU 交給 Samsung 代工 (更早之前亦流傳過),不過隨後 Intel 與 Samsung 很快就走出來闢謠了。 Intel 為了解決 14nm 產能問題,於年初就宣佈擴產計劃,年內增加了 15 億美元的資本開支,用以增加 14nm 產能。此外 Intel 也確認尋求第三方廠商的幫助提高外判的比例,解決產能問題。對此不少媒體報導有機會與台積電或者 Samsung 有關。近日台媒則報導台積電會因此受惠,而韓媒報導卻是 Samsung,並指

Samsung 記憶體生產設備受污染,損失有機會遠超 10 億韓元

對於近期 Samsung 記憶體廠房發生設備污染事件,已有更多的細節公開。時間點目前有兩種說法,前周與數週前,韓國媒體披露地點位於器興 (Giheung) 工廠,事故原因是 8" 晶圓生產設備受到污染。 Samsung 發言人對外證實傳言為真,但強調目前生產狀況正常,此意外損失預計 10 億韓元 (~670 萬元港幣)。不過,一些專家指出是次實際損失遠超 Samsung 公佈的這個數字,而且官方並未有統計出來。早於今年初,Samsung 的第一代 1x nm 記憶體也在工廠階段被查出有質量