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市場對更大更快的存儲設備需求越來越大，Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND，透過其 96 層 256Gb 架構，將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。 今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品，使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs，比上一代 V-NAND 提高 30%，將讀取信號的反應時

Samsung 在官網宣佈量產 10nm 制程記憶體顆粒，這款應用在 SO-DIMM 規格的 DDR4 記憶體，單條最大 32GB，頻率最高可達 2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。 以往在 SO-DIMM 上實現 32GB 記憶體十分困難，例如的 G.SKILL 推出的Ripjaws DDR4-3800 記憶體就是用的 Samsung 高端 B-die 記憶體顆粒，但是需要用到四條 8GB 才能組成 32GB 總容量。今次 Samsung 依靠著顆粒上的優勢，量產出 10n

最近 Samsung 官網上曝光了新的 SSD，型號分別為 860 PRO 及 860 EVO， 860 PRO 採用 64-layer Vertical stacked MLC NAND Flash 860 EVO 採用 10nm 3D V-NAND TLC。 雖然三星已經把頁面藏回去了，不過這些頁面已經全部被Google備份起來了，規格也一覽無遺。 也許是設定出錯，Samsung 官網短暫出現一款固態硬碟 860 Pro SSD（MZ-76P4T0E），這款 2.5 吋、SATA 6Gb

近來無論是快閃記憶體或是動態記憶體，都因為生產無法應付市場需求，價格時常維持在高點，因此有任何新產能開出都是好消息。Samsung 正式量產第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體，出廠預設值即可達 3600Mbps，並應用新技術克服微縮製程帶來的負面效應。 Samsung 近日正式發表採用第二代 10 奈米等級製程（1y-nm）量產 DDR4 記憶體，預設速度可達 3600Mbps，第一代 C-die 則為 3200Mbps。而現今備受推崇的 Samsung B-die，則採用 20 奈米等級

隨著手機在近年的飛速發展，手機廠商比拚的方式逐漸從單一的產品對比轉移到了自主研發的實驗室，透過自主研發創新讓產品更具競爭力。而在每一款手機背後，都少不了每一個元件的支持，無論是手機的螢幕、處理器、電池、感測器等等都會影響到一款手機的最終體驗。 ▲ 面對電池續航的瓶頸，手機廠商開始用充電方式彌補續航的不足 目前，手機廠商提升手機的續航時間方法主要有兩種： 其一是提高電池容量，透過最簡單直接的方法來讓獲得更長的續航，成本較低。但會讓機身更大、更厚重。 其二是提升處理器、螢幕等關鍵元件，