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DRAM 連升三年,今年Q4終於開始跌價啦!!
這一輪的存儲晶片升價始於2016年中,到現在已經是第三個年頭了,NAND閃存今年初開始降價,SSD硬盤等產品價格回落了,但是記憶體晶片升價問題三年依然沒有停止,2018年前兩個季度中記憶體價格還在持續上漲,雖然漲幅已經降至5%以內。此前市場普遍預期今年底記憶體漲價就要到頭了,從現在的情況來看8月份PC記憶體合約價格持平,Q3季度內漲幅約為2%,如今現貨價格開始下跌,Q4季度要想漲價或者持平都很難了,預計年底記憶體就要開始降價了。
根據DRAMeXchange發表的報告,今年8月份PC DR
Samsung 正式量產第五代 V-NAND 反應更快速度提升至 1.4Gbps
市場對更大更快的存儲設備需求越來越大,Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND,透過其 96 層 256Gb 架構,將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。
今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品,使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs,比上一代 V-NAND 提高 30%,將讀取信號的反應時
Samsung 量產 10nm SO-DIMM DDR4 記憶體 單條可達 32GB
Samsung 在官網宣佈量產 10nm 制程記憶體顆粒,這款應用在 SO-DIMM 規格的 DDR4 記憶體,單條最大 32GB,頻率最高可達 2666MHz,同時運行功耗將可以下降39%之多。
以往在 SO-DIMM 上實現 32GB 記憶體十分困難,例如的 G.SKILL 推出的Ripjaws DDR4-3800 記憶體就是用的 Samsung 高端 B-die 記憶體顆粒,但是需要用到四條 8GB 才能組成 32GB 總容量。今次 Samsung 依靠著顆粒上的優勢,量產出 10n
Samsung 860 PRO/EVO 固態硬碟現身官網 最高容量達4TB
最近 Samsung 官網上曝光了新的 SSD,型號分別為 860 PRO 及 860 EVO,
860 PRO 採用 64-layer Vertical stacked MLC NAND Flash
860 EVO 採用 10nm 3D V-NAND TLC。
雖然三星已經把頁面藏回去了,不過這些頁面已經全部被Google備份起來了,規格也一覽無遺。
也許是設定出錯,Samsung 官網短暫出現一款固態硬碟 860 Pro SSD(MZ-76P4T0E),這款 2.5 吋、SATA 6Gb
採用新技術 Air Spacer 減少寄生電容 Samsung 第二代 10 奈米等級 DDR4 開始量產
近來無論是快閃記憶體或是動態記憶體,都因為生產無法應付市場需求,價格時常維持在高點,因此有任何新產能開出都是好消息。Samsung 正式量產第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體,出廠預設值即可達 3600Mbps,並應用新技術克服微縮製程帶來的負面效應。
Samsung 近日正式發表採用第二代 10 奈米等級製程(1y-nm)量產 DDR4 記憶體,預設速度可達 3600Mbps,第一代 C-die 則為 3200Mbps。而現今備受推崇的 Samsung B-die,則採用 20 奈米等級