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這一輪的存儲晶片升價始於2016年中，到現在已經是第三個年頭了，NAND閃存今年初開始降價，SSD硬盤等產品價格回落了，但是記憶體晶片升價問題三年依然沒有停止，2018年前兩個季度中記憶體價格還在持續上漲，雖然漲幅已經降至5％以內。此前市場普遍預期今年底記憶體漲價就要到頭了，從現在的情況來看8月份PC記憶體合約價格持平，Q3季度內漲幅約為2％，如今現貨價格開始下跌，Q4季度要想漲價或者持平都很難了，預計年底記憶體就要開始降價了。 根據DRAMeXchange發表的報告，今年8月份PC DR

市場對更大更快的存儲設備需求越來越大，Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND，透過其 96 層 256Gb 架構，將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。 今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品，使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs，比上一代 V-NAND 提高 30%，將讀取信號的反應時

Samsung 在官網宣佈量產 10nm 制程記憶體顆粒，這款應用在 SO-DIMM 規格的 DDR4 記憶體，單條最大 32GB，頻率最高可達 2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。 以往在 SO-DIMM 上實現 32GB 記憶體十分困難，例如的 G.SKILL 推出的Ripjaws DDR4-3800 記憶體就是用的 Samsung 高端 B-die 記憶體顆粒，但是需要用到四條 8GB 才能組成 32GB 總容量。今次 Samsung 依靠著顆粒上的優勢，量產出 10n

最近 Samsung 官網上曝光了新的 SSD，型號分別為 860 PRO 及 860 EVO， 860 PRO 採用 64-layer Vertical stacked MLC NAND Flash 860 EVO 採用 10nm 3D V-NAND TLC。 雖然三星已經把頁面藏回去了，不過這些頁面已經全部被Google備份起來了，規格也一覽無遺。 也許是設定出錯，Samsung 官網短暫出現一款固態硬碟 860 Pro SSD（MZ-76P4T0E），這款 2.5 吋、SATA 6Gb

近來無論是快閃記憶體或是動態記憶體，都因為生產無法應付市場需求，價格時常維持在高點，因此有任何新產能開出都是好消息。Samsung 正式量產第二代 10 奈米等級 DDR4 記憶體，出廠預設值即可達 3600Mbps，並應用新技術克服微縮製程帶來的負面效應。 Samsung 近日正式發表採用第二代 10 奈米等級製程（1y-nm）量產 DDR4 記憶體，預設速度可達 3600Mbps，第一代 C-die 則為 3200Mbps。而現今備受推崇的 Samsung B-die，則採用 20 奈米等級