在推出 128 GB 容量 eUFS 2.1 存儲晶片4 年後，Samsung 終於將手機存儲容量提升至 1 TB 級別。近日 Samsung 在官網中宣佈，將量產業界首款可用於智能電話和移動設備的 1TB 容量 eUFS 2.1 存儲晶片。並計劃 2019 年上半年，在韓國 Pyeongtaek 工廠擴大第 5 代 512Gb V-NAND 閃存顆粒的產能，以應負全球移動設備生產商對 1TB eUFS 存儲晶片的需求。
同時，這些 1 TB 與 Samsung 2017 年推出的 512 GB eUFS 2.1 存儲晶片封裝尺寸一致 (均為 11.5 mm x 13.0mm)，代表著不需要因此改變機身內部的設計構造。1TB eUFS 2.1 存儲晶片由搭載 16-Layer 512Gb Samsung V-NAND 顆粒以及新開發的專用控制器構成，連續讀寫速度分別為 1000 MB/s 和 260 MB/s、隨機讀寫速度分別為 58,000 IOPS 和 50000 IOPS。
根據 Samsung 的說法，比起 512GB 版本的 eUFS 2.1 存儲晶片快 38%，隨機寫入速度比高性能 micoSD 卡 (100 IOPS) 快 500 倍；而連續讀取速度約為 2.5″ SATA SSD 的 2 倍，是常規 microSD 卡的 10 倍。
即管 1TB eUFS 2.1 存儲晶片已經投入生產，但首款搭載 1 TB 容量的智能電話到底會是誰，則未能確定。部分外媒認為即將在下個月發布的 Galaxy S10 系列機型，或許有望成為首款搭載 1 TB 存儲容量的智能電話。
