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Samsung 最近發布了新的 SSD - 860 QVO 系列，當中 Q 代表 QLC，不過 Samsung 聲稱它為「4bit MLC」、「V-NAND」。 Samsung 860 QVO SSD 採用 MJX 主控晶片，搭配第四代 NAND 64層 3D QLC NAND Flash 記憶體，容量的提供 1TB、2TB 以及 4TB 三種，使用 SATA 6Gbps 介面，2.5 吋外觀，最高讀取速度為550 MB/s，寫入520 MB/s，4K 隨機讀取 97,000 IO

據 Digitimes 報導，Samsung Galaxy S 系列已經落定將由高通提供螢幕指紋傳感器。按以往慣例，明年上半年 Samsung 將會推出 Galaxy S10 系列旗艦手機，而也是 Galaxy S 系列首款螢幕指紋手機。 根據 evleaks 透露的消息，Galaxy S10 將採用 Infinity-O 顯示屏，後置三鏡頭相機，這是也是旗下首款三鏡頭旗艦手機。硬件規格上，將搭載 Qualcomm Snapdragon 8150 處理器，這是 Qualcomm 新一代旗艦

這一輪的存儲晶片升價始於2016年中，到現在已經是第三個年頭了，NAND閃存今年初開始降價，SSD硬盤等產品價格回落了，但是記憶體晶片升價問題三年依然沒有停止，2018年前兩個季度中記憶體價格還在持續上漲，雖然漲幅已經降至5％以內。此前市場普遍預期今年底記憶體漲價就要到頭了，從現在的情況來看8月份PC記憶體合約價格持平，Q3季度內漲幅約為2％，如今現貨價格開始下跌，Q4季度要想漲價或者持平都很難了，預計年底記憶體就要開始降價了。 根據DRAMeXchange發表的報告，今年8月份PC DR

市場對更大更快的存儲設備需求越來越大，Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND，透過其 96 層 256Gb 架構，將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。 今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品，使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs，比上一代 V-NAND 提高 30%，將讀取信號的反應時

Samsung 在官網宣佈量產 10nm 制程記憶體顆粒，這款應用在 SO-DIMM 規格的 DDR4 記憶體，單條最大 32GB，頻率最高可達 2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。 以往在 SO-DIMM 上實現 32GB 記憶體十分困難，例如的 G.SKILL 推出的Ripjaws DDR4-3800 記憶體就是用的 Samsung 高端 B-die 記憶體顆粒，但是需要用到四條 8GB 才能組成 32GB 總容量。今次 Samsung 依靠著顆粒上的優勢，量產出 10n