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Samsung 香港時間今早正式發佈全新Galaxy S20系列手機，新系列共有3個型號，除了配備當前最強硬件規格，相機更具備最高1億像素、100倍Zoom及拍攝8K影片拍攝等超強賣點。 Galaxy S20系列將會有3個型號，分別是S20、S20+及S20 Ultra，它們主要分別在於屏幕大細、電池容量及鏡頭規格等等。 S20及S20+分別具備6.2吋及6.7吋Dynamic AMOLED 2x屏幕，解像度同為3200 x 1440，並支持HDR10+及120Hz更新率，它

根據台積電的規劃，他們今年上半年就會量產 5nm EUV 工藝，下半年產能提升到 7-8 萬片晶圓/月，今年的產能主要是供給 Apple 和華為。台積電的 3nm 工藝今年也會啟動建設，三星更搶先宣佈了 3nm GAA 工藝。   根據三星的說法，與 5nm 制程相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了35% 以上，功耗則降低 50%，性能提高約 30%。為了確保在 5nm 之後保持優勢，三星、台積電都會投入巨額資金建造新晶圓廠。而 3nm 工藝也不是摩爾定律的終點，

Samsung 一直都未有下一代 NVMe SSD 的消息，在 CES 2020 上就展出了相信是一代的產品 980 Pro。從標籤上可以看到 PCIe 4.0 的字眼，但目前來說相關的資料仍然有限，只知道理論讀取速度上可達 6500MB/s，至於寫入速度則是 5000MB/s，數字上較現有同級採用 Phison E16 控制器的產品快，但隨著 Phison E18 即將推出，屆時速度將有望突破 7GB/s，因此當 980 Pro 推出之時是否快的 NVMe SSD 仍是未知之數。容量方面，分別

在今年 3 月的時候，Samsung 是全球第一間宣佈量產 eMRAM，當時已是基於 28nm FD-SOI 的成熟工藝，記憶體容量為 8Mb，可廣泛應用於微控制器、物聯網與 AI 領域。 eMRAM 是一種非易失性記憶體，前景一直被睇好，Intel、IBM、Samsung 等巨頭多年都在研究，讀寫速度亦媲美 SRAM、DRAM 等傳統記憶體，而且又是非易失性，即斷電後數據可保存下來，綜合了傳統 DRAM 和 SRAM 的優點。 Samsung 所量產的 eMRAM 基於磁阻的存儲，在非

近日有韓國媒體指，Intel 會將 14nm CPU 交給 Samsung 代工 (更早之前亦流傳過)，不過隨後 Intel 與 Samsung 很快就走出來闢謠了。 Intel 為了解決 14nm 產能問題，於年初就宣佈擴產計劃，年內增加了 15 億美元的資本開支，用以增加 14nm 產能。此外 Intel 也確認尋求第三方廠商的幫助提高外判的比例，解決產能問題。對此不少媒體報導有機會與台積電或者 Samsung 有關。近日台媒則報導台積電會因此受惠，而韓媒報導卻是 Samsung，並指