2nm

給對手潑一盤大冷水 - 有傳台積電將跳過 2nm 直接研發 1.4nm,三星反超無望?

台積電曾多次表示 3nm 製程將於下半年規模投產,不過 Samsung 指將有望「超車」台積電,公佈的紙面數據上優於前者,同時有消息指其 3nm 已經開始量產。 不過早前曾有傳出 Samsung 3nm 出現嚴重良率問題,雖官方沒有承認,但據以過成績也並不是空穴來風。至於台積電 3nm 製程依舊延續 FinFET 電晶體結構,而非像對手採用更先進的 GAA 電晶體,顯然是道行更深,知道目前製程節點命名的混亂,而良率的高低才是皇道,所以採用更純熟的技術比更先進技術,更易搶得先機。

彎道超車預測 ? Intel 預計 2024 年下半年量產 1.8nm 製程,反超台積電

台積電、Samsung 等公司已量產了 7nm、5nm 製程一段時間,而 Intel 則落後了一段距離,直到上年才開始量產 10nm (更名後為「Intel 7」) 取代 14nm 製程。不過據 Intel 的最新路線圖,Intel 有可能會反超前率先量產 1.8nm 製程。 自上年 Intel 的新任 CEO 上場後,Intel 在半導體製程上就加快了推進,大力加強自家晶圓生產,更重新成立晶圓代工部門 IFS 與台積電直接競爭。按台積電公佈的路線圖,2nm 將會在 2024 年試

3nm 竟比 7nm 落後 ?! Samsung 3nm 製程的電晶體密度竟不如 Intel 7nm 製程

在 10nm 或更先進製程的半導體工藝,目前只有 Intel、台積電與 Samsung 有能力量產。近日台灣媒體 Digitimes 整理了三大晶圓廠在 10nm 至 2nm 的演進對比圖,並以電晶體密度來顯示。 圖片源自:DIGITIMES 於 10nm 部份,Intel 的密度高達 1.06億/mm²,是台積電及 Samsung 的兩倍。在 7nm 部份,Intel 預計能達到1.8億/mm²,台積電則為 9,700萬/mm²、Samsung 為 9,500萬/mm²。在 5n

環評遇阻滯 - 台積電 2nm 廠房建設受阻,有機會出現延期

台積電在半導體的研發上,一直領先全球同業,5nm、3nm 已經準備得七七八八了,而之後就到了 2nm 了。在 2nm 製程上,將會採用全新的 GAA 電晶體,技術層面的升級巨大,單純在工廠建設上,就需要 200 億美元。 不過台積電的 2nm 廠房建設計劃似乎遭到阻滯「卡關」了。最新消息指,台積電擬於新竹科學園區開展寶山用地的第二期擴建計劃。環保局在本月 25 號召開了環評專案小組的第三次初審會議,當中包括水、電及廢棄物清理等備受關注的議題。專案小組在經過逾三小時審議後,最終仍未通過方案,

彎道超車 ? IBM 宣佈已生產出全球首顆 2nm EUV 晶片,超越台積電

近日,IBM 宣佈生產了全球第一顆 2nm 製程的半導體晶片。IBM 聲稱此 2nm 晶片的電晶體密度 333.33 MTr/mm2,差不多是台積電 5nm 的兩倍。即在 150 mm2  (手甲蓋大小) 的面積,就能容納 500 億顆電晶體。 另外 IBM 表示在同樣的電力消耗下,其效能比現時 7nm 製程高出 45%,輸出同樣效能則減少 75% 的功耗。 實際上,IBM 也是率先生產出 7nm (2015 年) 及 5nm (2017 年) 晶片的生產商,而在電壓等指標的