2nm

對於晶片廠商而言，光刻機是尤其重要的生產工具，而 ASML 也在積極佈局新的技術。據外媒報導指，截至 2022 Q1，ASML 已出貨 136 個 EUV 系統。 按照官方資料，新型號 NXE:3600D EUV 光刻機系統，可達到 93% 的可用性。而數據顯示，NXE:3600D 每小時可生產 160 個晶圓 (wph)，速度為 30mJ/cm，，而正在開發的下一代 NXE:3800E 系統最初將以 30mJ/cm 的速度提供超過 195 wph 的產能，而在吞吐量升級後達到了 220w

台積電曾多次表示 3nm 製程將於下半年規模投產，不過 Samsung 指將有望「超車」台積電，公佈的紙面數據上優於前者，同時有消息指其 3nm 已經開始量產。 不過早前曾有傳出 Samsung 3nm 出現嚴重良率問題，雖官方沒有承認，但據以過成績也並不是空穴來風。至於台積電 3nm 製程依舊延續 FinFET 電晶體結構，而非像對手採用更先進的 GAA 電晶體，顯然是道行更深，知道目前製程節點命名的混亂，而良率的高低才是皇道，所以採用更純熟的技術比更先進技術，更易搶得先機。

台積電、Samsung 等公司已量產了 7nm、5nm 製程一段時間，而 Intel 則落後了一段距離，直到上年才開始量產 10nm (更名後為「Intel 7」) 取代 14nm 製程。不過據 Intel 的最新路線圖，Intel 有可能會反超前率先量產 1.8nm 製程。 自上年 Intel 的新任 CEO 上場後，Intel 在半導體製程上就加快了推進，大力加強自家晶圓生產，更重新成立晶圓代工部門 IFS 與台積電直接競爭。按台積電公佈的路線圖，2nm 將會在 2024 年試

在 10nm 或更先進製程的半導體工藝，目前只有 Intel、台積電與 Samsung 有能力量產。近日台灣媒體 Digitimes 整理了三大晶圓廠在 10nm 至 2nm 的演進對比圖，並以電晶體密度來顯示。 圖片源自：DIGITIMES 於 10nm 部份，Intel 的密度高達 1.06億/mm²，是台積電及 Samsung 的兩倍。在 7nm 部份，Intel 預計能達到1.8億/mm²，台積電則為 9,700萬/mm²、Samsung 為 9,500萬/mm²。在 5n

台積電在半導體的研發上，一直領先全球同業，5nm、3nm 已經準備得七七八八了，而之後就到了 2nm 了。在 2nm 製程上，將會採用全新的 GAA 電晶體，技術層面的升級巨大，單純在工廠建設上，就需要 200 億美元。 不過台積電的 2nm 廠房建設計劃似乎遭到阻滯「卡關」了。最新消息指，台積電擬於新竹科學園區開展寶山用地的第二期擴建計劃。環保局在本月 25 號召開了環評專案小組的第三次初審會議，當中包括水、電及廢棄物清理等備受關注的議題。專案小組在經過逾三小時審議後，最終仍未通過方案，