製程

給對手潑一盤大冷水 - 有傳台積電將跳過 2nm 直接研發 1.4nm,三星反超無望?

台積電曾多次表示 3nm 製程將於下半年規模投產,不過 Samsung 指將有望「超車」台積電,公佈的紙面數據上優於前者,同時有消息指其 3nm 已經開始量產。 不過早前曾有傳出 Samsung 3nm 出現嚴重良率問題,雖官方沒有承認,但據以過成績也並不是空穴來風。至於台積電 3nm 製程依舊延續 FinFET 電晶體結構,而非像對手採用更先進的 GAA 電晶體,顯然是道行更深,知道目前製程節點命名的混亂,而良率的高低才是皇道,所以採用更純熟的技術比更先進技術,更易搶得先機。

紙面數據優於台積電 - Samsung 宣佈 3nm 製程良率已改進,並開始量產

最近,Samsung 的新程製工藝傳出不少負面消息,曾有傳聞良率只有 35%,因此嚇走了 NVIDIA、Qualcomm 等客戶,不過 Samsung 一直否認。不過最新消息指其 3nm 製程已經量產,而最關鍵的良率也在改善中。 而這個消息是由 Samsung 管理層向董事會報告的,顯示出已對 3nm 製程的信心,同時表示良率已經改善,不過實際數據還沒有洩露出來。 回顧一下資料,Sansung 3nm 節點是他們押注晶片製程超越台積電的關鍵,因為台積電的 3nm 不會用上新一

彎道超車預測 ? Intel 預計 2024 年下半年量產 1.8nm 製程,反超台積電

台積電、Samsung 等公司已量產了 7nm、5nm 製程一段時間,而 Intel 則落後了一段距離,直到上年才開始量產 10nm (更名後為「Intel 7」) 取代 14nm 製程。不過據 Intel 的最新路線圖,Intel 有可能會反超前率先量產 1.8nm 製程。 自上年 Intel 的新任 CEO 上場後,Intel 在半導體製程上就加快了推進,大力加強自家晶圓生產,更重新成立晶圓代工部門 IFS 與台積電直接競爭。按台積電公佈的路線圖,2nm 將會在 2024 年試

3nm 竟比 7nm 落後 ?! Samsung 3nm 製程的電晶體密度竟不如 Intel 7nm 製程

在 10nm 或更先進製程的半導體工藝,目前只有 Intel、台積電與 Samsung 有能力量產。近日台灣媒體 Digitimes 整理了三大晶圓廠在 10nm 至 2nm 的演進對比圖,並以電晶體密度來顯示。 圖片源自:DIGITIMES 於 10nm 部份,Intel 的密度高達 1.06億/mm²,是台積電及 Samsung 的兩倍。在 7nm 部份,Intel 預計能達到1.8億/mm²,台積電則為 9,700萬/mm²、Samsung 為 9,500萬/mm²。在 5n

月產目標提升至 15 萬片 - 台積電 TSMC 將擴張 28nm 製程的產能

近日傳出與台積電相關的消息,為了滿足汽車晶片、CMOS 傳感器、網絡通訊晶片、射頻部件等需求,正規劃擴大 28nm 成熟製程的產能。這個計劃預計未來兩三年,28nm 的總產能每月可擴大至 10 - 15 萬片。 而消息透露了台積電對於擴產的一些地點選址,包括台灣中科園區、南京,還有台仍與當地政府討論的新建廠房計劃 - 日本熊本、德國德勒斯登。台積電因將於禮拜四舉行法說會,其表示目前處於法說會前的緘默期,不會回應。 而此前台積電已宣布 4nm 將提早一季預計能於本季開始試產,3