Intel 在 VLSI 2026 正式披露強化版 18A 製程「Intel 18A-P」，主打在不改變晶片針腳與設計規則的前提下，透過新結構電晶體和散熱、互連優化，在同一晶片面積中壓出更高頻率與更低功耗。官方指 18A-P 目前已進入風險性生產，定位與往後的 14A 一樣，是 Intel Foundry 極關鍵的一級節點。
以標準 ARM 核心子模組為基準，18A-P 對比原本的 18A，可在同等功耗下提升大約 9% 效能，或者在同等效能下降低約 18% 功耗，並維持原有 RibbonFET 全環繞閘極同 PowerVia 背面供電設計，對既有 18A 客戶來說，IP 和流程可以幾乎直接沿用。製程亦透過新材料與版圖方法，將熱阻改善約 20–40%，垂直通孔（via）電阻則降低約 10–30%，配合 PMOS 應變工程提升載子遷移率，為高效 AI 與高效能運算提供更好的低電壓操作空間。
今次最矚目的新招是名為「Power Boost」的雙接點低阻電晶體選項，Intel 表示這是業界首見結合背面供電的 NMOS／PMOS 雙接點架構，能在電容不變的情況下提供更高驅動電流，讓設計人員在已固定的 cell 高度（160nm / 180nm）內，換取更多頻率與性能空間。同時，改良後的背面供電與前端互連協同，可帶來約 11% 佈局面積縮減、縮短線長與減少 via 數量，繼續沿用 32 層金屬堆疊，兼顧成本與製程複雜度。
Intel 還在同一場發表多項前瞻技術研究，包括在 300mm GaN 晶圓上實現超低功耗數位電源控制邏輯、45nm pitch 的 CFET 疊層晶體管示範，以及採用釕金屬加氣隙的次世代互連，聲稱在相同漏電下帶來約 2% 電路效能提升和高達 35% 電容下降，有助未來在極窄線距下維持訊號品質。在產品推出方面，Intel 已確認下一代 Xeon「Diamond Rapids」將採用 18A-P 製程生產，並透露 Foundry 已拿下包括 TeraFab、SpaceX、Apple 等多個重量級客戶，NVIDIA 和 Google 亦被視為潛在 18A / 18A-P 大客戶，在 AI 需求推動下，18A-P 會是 Intel 重新搶佔高階製程版圖的一張重要王牌。
