SK hynix

日前 (10 月 20 日)，半導體公司 SK Hynix 與 Intel 宣佈簽署收購協議，根據協議約定 SK Hynix 將以 90 億美元收購 Intel 的 NAND Flash 記憶體及存儲業務。 這是繼 NVIDIA 以 400 億美元收購 ARM 後，全球半導體界又一單重大交易。SK Hynix 於本次收購將取得包括 Intel NAND SSD 業務、NAND 部件及晶圓業務，以及 Intel 在中國大連的 NAND Flash 記憶體工廠。這個位於中國的工廠是 Intel

今日，韓國記憶體生產商 SK Hynix 正式發佈全球第一款 DDR5 記憶體，在頻率、容量等技術都達到了全新的等級。 這款剛發佈的 DDR5 記憶體將面向 Server、Data Center 以 RDIMM 形態出現，基於 1Ynm 製程生產的 16Gb 顆粒，單條容量為 64GB，藉助 TSV 矽穿孔技術，最高可達 256GB。至於頻率方面，則由 4,800MHz 起步，最高為 5,600MHz。電壓則是標準的 1.1V，功耗降低了 20％。 由於屬於 RDIM

由於香港享有關稅優惠的待遇，以及能夠直接用美金貿易，所以不少半導體貿易都透過香港作為中轉站，先將貨品空運至香港，之後運送到中國再轉售至中國各地。而這個做法亦可讓其繳納較少的中國增值稅。 而近日美國針對國安法作出制裁，取消對香港的優惠待遇，故半導體企業的的出口機制也需作出改變。Samsung、SK Hynix 都在想法防止供應鏈受阻，但恐怕運輸成本將大大增加。但亦有業界人士指若果南韓企業直接向中國出口，恐使美國關注和加強監督。Samsung 與 SK Hynix 目前在中美投資都面臨

SK Hynix 已發佈了最新的 DDR5 路線圖，並確認今年將開始限量生產下一代 DRAM。早於 2018 年 11 月亦宣布開發了業界首個根據 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM。 據 SK Hynix 表示比起 DDR4，DDR5 在提供兩倍以上的頻寬，且由 DDR3 到 DDR4，頻寬增加了 33% (從 1600 Mbps 增加到 2133 Mbps)。借助 DDR5，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。

上月中旬 Toshiba 位於日本四日市的 5 座閃存晶圓廠遭遇斷電事故，導致部分工廠將停產一個月，這件事使得全球 NAND 記憶體晶片的供需情況發生變化，預計 Q3 將會減少跌幅或者部分漲價 (漲價的主要是 2D 記憶體顆粒)。 不過停電的事故還沒完，這次輪到日本突然以半導體技術制裁韓國，將從 7 月 4 日起限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料的對韓出口。 日本限制出口韓國的材料主要有三大品類，分別是電視和手機 OLED 面板上使用的氟聚酰亞胺 (Fluorine