SK hynix

中國記憶體製造商 CXMT 最近宣布已經開始大規模生產 DDR5 記憶體模組，這一突破為中國在科技領域的雄心注入了新的動力。在當前的地緣政治環境下，中國科技公司加快了自建生產線的步伐。CXMT 作為中國消費者記憶體模組的主要生產商，如果 CXMT 能夠積極推廣低成本的 DRAM，則可能會對 Samsung 和 SK Hynix 形成嚴重威脅，特別是在中國市場。 有趣的是，兩家中國公司 KingBank 和 Gloway已經開始在消費市場上採用 CXMT 的 DDR5 記憶體模組。這些解決方

SK hynix 最近宣布開始量產全球首款 321 層 NAND 閃存，並計劃於 2025 年上半年啟動出貨。這款 NAND 閃存是目前業界最高層數的產品，標誌著存儲技術的一次重要突破。 該 321 層 NAND 採用了 SK hynix 的 “3 plugs” 工藝技術，通過更先進的工藝流程實現三層插頭之間的電氣連接。這種創新技術不僅提升了生產效率，還引入了低應力材料，並採用了自動校正對準的技術，大幅提高了製造精度。與其上一代 238 層 NAND 相比，321 層 NAND 在生產效率

NVIDIA 在 2020 年 9 月，宣佈將以 400 億美元從軟銀手中收購 Arm，不過因多國監管機構審查與阻礙，最終被逼放棄此筆交易。隨後軟銀宣佈，準備在 2023 年 3 月 31 日的財政年度內將 Arm 上市，而這也將是半導體行業規模最大的 IPO。 雖然 NVIDIA 的收購並沒有成功，不過還有不少企業希望接手這一塊「肥豬肉」。而最近爆出一個消息指，韓國記憶體生產商 SK Hynix 在近日的股東大會上表示，正審查是否應該與戰略合作夥伴組成財團收購 Arm，不過此計劃

SK Hynix 日前宣佈成為首間研發新一代 HBM3 記憶體成功的廠商，其單顆容量最高為 24 GB， 厚度僅為 A4 紙的三分之一， 總頻寬則高達 819 GB/s。 於 OCP Summit 2021 峰會上，SK Hynix 首次公開展示 HBM3 記憶體，單顆容量 24 GB，頻率為 6.4GHz，比最初規劃的 5.2GHz 提升 23％。不過至今，JEDEC 仍未最終落實 HBM3 記憶體標準。 基本上，HBM 記憶體已成為高效能電腦產品的必備，如 AMD Ins

全球記憶體市場基本上由 Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大巨頭瓜分。而每次記憶體價格的變動都直接影響其的利潤。而近一年來記憶體的價格一直大漲，但背後可能不完全是市場因素。 近 businesskorea 報導指，美國律師事務所 Hagens Berman 於 5 月 3 日向美國加州北部聯邦地區法院，提出消費者集體訴訟，指控 Samsung、Micron 等公司共同操控記憶體晶片市場，讓 DRAM 的價格倍升甚至更多，這些公司因而獲得可觀的利潤。 在報導中寫道，Ha