DRAM

記憶體技術領域迎來重大突破！Ferroelectric Memory Co. (FMC) 與 Neumonda 攜手在德國推出新型「DRAM+」記憶體，該產品結合了 DRAM 的高性能與 SSD 的存儲特性，並採用了基於鐵電氧化鉿（HfO₂）的 FeRAM 技術。 傳統 DRAM 需要持續供電以維持數據，而新型 DRAM+ 則透過非揮發性 FeRAM 技術，讓數據在斷電後仍能保留，同時維持 DRAM 的高效能表現。這項技術不僅提升了能源效率，還擴展了記憶體的應用場景，包括 AI、汽車技術、

序言 對於今時今日大家在組裝電腦時，針對儲存裝置上基本上都已經不會考慮採用傳統硬碟，始終 SSD 比 HDD 快很多，而 NVMe SSD 又會比 SATA SSD 快。在選擇新 NVMe SSD 的時候，都會著重在 PCIe 代數（Gen3、Gen4、Gen5）、容量與及廠商所標示的讀取/寫入速度。不過，部份關於 NVMe SSD 的資料大家或者都會忽略，而這些規格或者會直接影響到 NVMe SSD 的品質甚至是使用壽命。   SLC、MLC、TLC 還是 QLC？ 與傳

隨著 AI 需求的激增，2024 年 DRAM 價格預計將上漲 53%，2025 年將再增加35%。根據 TrendForce 的分析，DRAM 和 NAND Flash 記憶體的需求正處於歷史高位，預計將帶來顯著的收入增長。2024 年 DRAM 的收入預計將達到 907 億美元，而 NAND Flash 的收入也預計將達到 674 億美元，同比增長達 77%。 今次記憶體需求上漲主要受到 AI 技術發展的推動，隨著越來越多公司利用現代硬件加強 AI 能力，硬件需求顯著增加。除了

也許不少人也不知道，Intel 其實是做 DRAM 記憶體起家的，當時更是記憶體技術的先驅，全球首款商用 1K RAM 就是 Intel 製造的。不過後來日本廠商崛起後，Intel 遭遇的競爭壓力倍增，直到 1984 年終退出了記憶體領域。 不過後來 Intel 又投入到 NAND FLASH 記憶體的領域，更研發了 Optane 晶片，不過於近兩年已將相關業務賣掉和關閉了。不過在時隔 38 年後，Intel 又重新殺回記憶體領域，近日接受了美國能源部委託為桑迪亞國家實驗室開發一種

近日有消息指，三星計劃降低部分 DRAM 產能，以確保全球大缺貨的 CIS 晶片，以滿足這部分的客戶需求。CIS 即圖像 Sensor，也就是 CMOS 元件，於這部份的生產上，三星現時在全球的份額僅次於 SONY。以近日發佈的小米 11 為例，前後四個鏡頭，有高達三個元件都是三星的 ISOCELL 方案。 外界分析，此舉可能會導致記憶體缺貨漲價，畢竟三星高層這個決定的考慮之一就是確保 DRAM 的利潤，同時搶佔 CIS 市場的份額。另外幾個記憶體巨一頭中，Micron 於 12