DRAM

再推動記憶體漲價?Samsung 準備犧牲 DRAM 產能,以確保 CMOS 的供應

近日有消息指,三星計劃降低部分 DRAM 產能,以確保全球大缺貨的 CIS 晶片,以滿足這部分的客戶需求。CIS 即圖像 Sensor,也就是 CMOS 元件,於這部份的生產上,三星現時在全球的份額僅次於 SONY。以近日發佈的小米 11 為例,前後四個鏡頭,有高達三個元件都是三星的 ISOCELL 方案。 外界分析,此舉可能會導致記憶體缺貨漲價,畢竟三星高層這個決定的考慮之一就是確保 DRAM 的利潤,同時搶佔 CIS 市場的份額。另外幾個記憶體巨一頭中,Micron 於 12

連環停產 RAM 藉機加價? DDR4 無事,DDR2、DDR3 記憶體價格開始上升

早前 Micron 旗下的台灣晶圓廠發生跳電事故,造成生產中斷,需要幾日才能復產;而 SK Hynix 在中國重慶的廠房亦因一名韓藉工程師確診武漢肺炎,而造成重廠停工。而連續的這些事件,將引發了記憶體市場的波動,以致行內不少廠商都想藉此調高記憶體價格。 不過好淪消息是目前 DDR4 記憶體的價格並無出現上漲,可是這也並不代表記憶體市場並無波動。TrendForce 旗下的半導體研究中心日前發表了報告,指截止 11 月底,DDR4 8Gb 及 4Gb 顆粒的價格企穩,但 DDR3、D

記憶體市場不達小期,DRAM 價格跌至 5 個月新低

如果有印象其實在舊年底 DRAM 的價格開始止跌回升,三大生產商 Samsung、SK Hynix 和 Micron 紛紛表示 2020 年將會逐步回升。主要理由是 5G 的爆發、智能電話需求增加、Data Center 的需求高漲等等。 不過事與願違,直至今個月,記憶體的價格反而跌至至 5 個月以來的新低。DRAM 的價格近期一直穩步下滑,截至 6 月中旬,4Gb DDR4 顆粒的中位價已跌破 2 美元,僅為 1.92 美元,創造了 2020 年 1 月份以來的新低。單是過去的一個月內,

Samsung 記憶體生產設備受污染,損失有機會遠超 10 億韓元

對於近期 Samsung 記憶體廠房發生設備污染事件,已有更多的細節公開。時間點目前有兩種說法,前周與數週前,韓國媒體披露地點位於器興 (Giheung) 工廠,事故原因是 8" 晶圓生產設備受到污染。 Samsung 發言人對外證實傳言為真,但強調目前生產狀況正常,此意外損失預計 10 億韓元 (~670 萬元港幣)。不過,一些專家指出是次實際損失遠超 Samsung 公佈的這個數字,而且官方並未有統計出來。早於今年初,Samsung 的第一代 1x nm 記憶體也在工廠階段被查出有質量

速度快 低延遲 - Toshiba 正式發佈 XL-Flash 3D SLC 記憶體

除了企業級、工業級等領域外,搭載 SLC 顆粒的 SSD 已成為歷史,即使是 MLC 亦快要絕種了,通路上的產品都是採用 TLC 甚至是更新的 QLC 記憶體顆粒。上年,Toshiba 卻發佈了全新的「 XL-Flash」,可以理解為 3D 立體封裝、延遲超低的 SLC 記憶體晶片。至於詳細資料當時並未有公佈。 如今,FMS 2019 (Flash Memory Summit) 即將開始,Toshiba 正式發布了 XL-Flash,並透露更多細節,還會於 FMS 上公佈更多架構和技術特點