記憶體

近年來在半導體的研發一直是由台積電領先，而稍微比較跟得上的就只有三星了，不過後者的產物卻一直飽受質疑。而在 IEEE ISSCC 大會上，三星首次展示出其採用 3nm 製程生產的晶片，這是一顆 256Mb (32MB) 容量的 SRAM 存儲晶片，也是新製程落地傳統的第一步。 而在三星的路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新製程節點，其他皆為升級改進型，包括 11 / 8 / 6 / 5 / 4nm 等等。這次三星將在 3nm 上第一次應用到 GAAFET 技術，再

早於上年年尾，韓國記憶體生產商 SK Hynix 已正式發佈了全球第一款 DDR5 記憶體，單條容量為 64 GB，透過 TSV 矽穿孔技術，未來最高可達 256GB。不過近期，中國的生產商嘉合勁威，率先生產了單條 128GB 的 DDR5-4800 記憶體。 嘉合勁威以 Asgard 品牌亮相了 DDR5 記憶體產品，其運作頻率為 4800 MHz，提供 32 GB、64 GB 和 128 GB 方案，而在曝光的模組編號為 VMA5AUK-MMH224W3，達到 JEDEC B

近日於 ISSCC 國際固態電路會議上，只有 Intel 在討論與 QLC 記憶體相關的題材，公佈了 144-Layer QLC 的技術細節，而三星依舊停在 92-Layer，SK Hynix、WD/KIOXIA 則為 96-Layer。 圖片源自 Anandtech Intel 144-Layer QLC 記憶體顆粒單 Die 容量依然為 1Tb (128GB)，不過面積由 114.6 mm2 縮小到 74.0 mm2，儲存密度由 8.9Gb/mm2 提升到 13.8Gb/mm2

PC遊戲週邊設備和發燒組件廠商CORSAIR海盜船，今日為VENGEANCE RGB PRO系列產品再添一款新品，全新的DDR4記憶體套件CORSAIR VENGEANCE RGB PRO SL。VENGEANCE RGB PRO SL初期可提供高達3600MHz的多種頻率範圍和高達128GB (4x32GB)的套裝，有黑白兩種顏色可供選擇，具有動態十區RGB燈光，其高度僅為44mm，相容性出色，幾乎可以滿足所有PC系統的要求。每一個模組都經過仔細篩選，並為性能和超頻潛力而優化，同時這款記憶體具

近日有消息指，三星計劃降低部分 DRAM 產能，以確保全球大缺貨的 CIS 晶片，以滿足這部分的客戶需求。CIS 即圖像 Sensor，也就是 CMOS 元件，於這部份的生產上，三星現時在全球的份額僅次於 SONY。以近日發佈的小米 11 為例，前後四個鏡頭，有高達三個元件都是三星的 ISOCELL 方案。 外界分析，此舉可能會導致記憶體缺貨漲價，畢竟三星高層這個決定的考慮之一就是確保 DRAM 的利潤，同時搶佔 CIS 市場的份額。另外幾個記憶體巨一頭中，Micron 於 12