電壓僅需 0.23V !! Samsung 率先展示 3nm SRAM 晶片成品,並於明年量產

- 軒仔 - 2021-03-16

近年來在半導體的研發一直是由台積電領先,而稍微比較跟得上的就只有三星了,不過後者的產物卻一直飽受質疑。而在 IEEE ISSCC 大會上,三星首次展示出其採用 3nm 製程生產的晶片,這是一顆 256Mb (32MB) 容量的 SRAM 存儲晶片,也是新製程落地傳統的第一步。

而在三星的路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新製程節點,其他皆為升級改進型,包括 11 / 8 / 6 / 5 / 4nm 等等。這次三星將在 3nm 上第一次應用到 GAAFET 技術,再次實現了電晶體結構的突破,比現時 FinFET 3D 電晶體而言可算是大進步。

這次三星的第一顆 3nm SRAM 晶片採用的是 MBCFET,容量為 256Mb,面積 56 mm2。而最令三星驕傲的就是擁有著極低功耗,寫入電壓只需 0.23V,這就是受惠於 MBCFET 的多種省電技術。按照三星的說法,3GAE 工藝對比於其 7LPP 工藝,可將電晶體密度增加最多 80%,效能提升最多 30% 或是功耗降低最多 50%。

也許這終於可讓三星更好地控制晶片功耗、發熱,避免再出現以往為人詬病的問題。目前其 3nm 預計於明年投入量產,但尚未公佈任何客戶名單。至於台積電方面,3nm 製程將繼續沿用 FinFET 技術,並號稱比 5nm 電晶體密度增加 70%,效能可提升 11% 或功耗降低 27%,預計於今年稍後時間投入試產,並於明年量產。