SK Hynix 已發佈了最新的 DDR5 路線圖，並確認今年將開始限量生產下一代 DRAM。早於 2018 年 11 月亦宣布開發了業界首個根據 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM。
據 SK Hynix 表示比起 DDR4，DDR5 在提供兩倍以上的頻寬，且由 DDR3 到 DDR4，頻寬增加了 33% (從 1600 Mbps 增加到 2133 Mbps)。借助 DDR5，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。
在規格表中，SK Hynix 研究的DDR5 由 3200 – 8400MHz。相較下按照 JEDEC 標準，DDR4 的速度範圍為 1600 – 3200 MHz，但目前已看到各製造商已將 DDR4 的速度提升到 5000 MHz。當然剛起步時不會看到 8400MHz 的速度，但等到技術成熟後，很大機會可以達到。
若考慮將 DDR5 增加 50% 頻寬，那在第一個更新中將看到保守的 4800MHz DRAM 速度，對比 DDR4 DIMM上標準速度 (通常為 2800 MHz) 仍然較快。
在容量而言，DDR5 最高可支援 64 Gb，在單 DIMM 上最多可支援 64GB DDR5。SK Hynix 還計劃生產 24Gb 和 32Gb DRAM (24GB / 48GB 容量)，具體取決於記憶體供應商是否要採用雙容量路線。
DDR5 將加入高頻寬所需的其他功能，包括：Burst Length、容量大小增加一倍 (32 banks vs 16 banks)。此外，DDR4 在更新時不能執行其他操作，故此刻無法從系統訪問它。不過 DDR5 採用了 Same Bank Refresh 功能，允許系統在某些儲存區執行時訪問其他儲存區，提高了記憶體訪問的可用性。
DDR5 的工作電壓為 1.1V (DDR4 為 1.2V)，功耗降低 20%。DDR5 還擁有 ECC 和 ECS 功能，進一步降低針對伺服器的平台的成本。目前尚未清楚消費者平台何時能看到新的記憶體標準，但隨著AMD 2021 年推出 Zen 4 處理器以及 Intel 推出其 Alder Lake CPU，很大機會看到 DDR5 在 2021 年末或 2022 年初在消費市場上有所行動。
