最近，Samsung 的新程製工藝傳出不少負面消息，曾有傳聞良率只有 35%，因此嚇走了 NVIDIA、Qualcomm 等客戶，不過 Samsung 一直否認。不過最新消息指其 3nm 製程已經量產，而最關鍵的良率也在改善中。
而這個消息是由 Samsung 管理層向董事會報告的，顯示出已對 3nm 製程的信心，同時表示良率已經改善，不過實際數據還沒有洩露出來。
回顧一下資料，Sansung 3nm 節點是他們押注晶片製程超越台積電的關鍵，因為台積電的 3nm 不會用上新一代的 GAA 晶體管技術，而 Samsung 則將會用上 GAA 技術。通過使用納米片設備製造 MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET 多橋 – 通道場效應管)，宣稱可顯著增強晶體管效能，主要取代 FinFET 晶體管技術。
根據 Samsung 的說法，與 7nm 製程相比，3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，效能提高了 35%，紙面的數字上是要比台積電 3nm FinFET 製程好。
