1 萬億寫入壽命 !! 有傳 Samsung 1Gb eMRAM 生產良率已達 90%

- 軒仔 - 2019-12-28 - visibility Views

在今年 3 月的時候,Samsung 是全球第一間宣佈量產 eMRAM,當時已是基於 28nm FD-SOI 的成熟工藝,記憶體容量為 8Mb,可廣泛應用於微控制器、物聯網與 AI 領域。

eMRAM 是一種非易失性記憶體,前景一直被睇好,Intel、IBM、Samsung 等巨頭多年都在研究,讀寫速度亦媲美 SRAM、DRAM 等傳統記憶體,而且又是非易失性,即斷電後數據可保存下來,綜合了傳統 DRAM 和 SRAM 的優點。

Samsung 所量產的 eMRAM 基於磁阻的存儲,在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等都遠超傳統記憶體。由於不需要在寫入數據前進行擦除循環,eMRAM 的寫入速度可達到 eFlash 的約一千倍,且電壓、功耗低很多,閒置待機下完全不會耗電。

而最近 Samsung 亦已開始生產 1Gb 容量的 eMRAM,依然為 28nm FD-SOI 製程,而最新消息指其良率已經達到 90%。即使 1Gb 的容量依然遠不如現在的記憶體,但 eMRAM 的壽命超長、可靠性更遠勝其他產品,這款 eMRAM 在 105 °C 高溫下,依然能夠擦寫 1 億次,85 °C 下更高達 100 億次。

如果只是日常的使用環境,那 eMRAM 的擦寫次數甚至高達 1 萬億次,可說是不會因寫入而死亡。

 

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