Micron

在半個月前，開始有用戶反影，RTX 2080Ti Founders Edition 顯示卡出現花屏。其後均陸續有人反應部分非公版也有同樣情況。 至今，NVIDIA 終於在官方論壇承認問題出自於針對早期電路板的測試存在不足，購買了公版顯示卡又出現問題的用家，可以聯繫他們尋求協助。 圖片來自 GeForce 論壇成員 SawFEAR 目前問題主要集中在 RTX 2080 Ti 身上，特別是公版 Founders Edition，症狀就​​是出現像素缺失，其後造成系統卡死。狀況與 VRA

2018 年的智能電話容量越做做越大，Flash Memory 容量基本由 64 GB 起，128 GB 已經成為主流，而 RAM 普遍由 6GB 起，高階的則是 8 GB 甚至 10 GB。RAM 容量要再上一個層階，除了希望降價外，還有賴於於大容量 LPDDR4 記憶體的量產。 Micron 今天宣布大規模量產 12 Gb 容量的 LPDDR4X ，使用了 1Y nm (官方表示 10 nm 級別) 生產，頻率可高達 4266 MHz，同時功耗亦下降了 10%，預計明年的智能電話可以達

這一輪的存儲晶片升價始於2016年中，到現在已經是第三個年頭了，NAND閃存今年初開始降價，SSD硬盤等產品價格回落了，但是記憶體晶片升價問題三年依然沒有停止，2018年前兩個季度中記憶體價格還在持續上漲，雖然漲幅已經降至5％以內。此前市場普遍預期今年底記憶體漲價就要到頭了，從現在的情況來看8月份PC記憶體合約價格持平，Q3季度內漲幅約為2％，如今現貨價格開始下跌，Q4季度要想漲價或者持平都很難了，預計年底記憶體就要開始降價了。 根據DRAMeXchange發表的報告，今年8月份PC DR

Intel 在官方宣佈 2019 年將會和 Micron 發佈第二代 3D Xpoint 產品後，兩家公司為了業務需求不同與及技術優化方法不一樣，將會徹底分家，至於 Optane 和 QuantX 將會成為 3D Xpoint 技術的獨立品牌。 Intel 和 Micron 早在 2005 年已經開始合作開發 NAND，聯合成立一家 Intel-Micron Flash Technologies 公司（IMFT），專門製造 NAND 快閃記憶體。直到 2015 年研發出全新的 3D XPo

Micron今天宣布了新一代NVDIMM-N記憶體，將DDR4記憶體與NAND快閃記憶體融合在了一起，不怕掉電。 NVDIMM即非易失性記憶體，美光研究已久，DDR3時代就做過，DDR4時代此前有8GB、16GB容量，新一代則翻番為32GB。NVDIMM-N意味著它是N類型，使用NAND做數據備份以防掉電，另外還有NVDIMM-F，純粹使用快閃記憶體。 美光的這條新記憶體自帶了64GB SLC NAND，萬一碰上掉電或者有斷電的跡象，板載FPGA就會立刻啟動，將所有運行數據轉移到快閃記憶