2018 年的智能電話容量越做做越大,Flash Memory 容量基本由 64 GB 起,128 GB 已經成為主流,而 RAM 普遍由 6GB 起,高階的則是 8 GB 甚至 10 GB。RAM 容量要再上一個層階,除了希望降價外,還有賴於於大容量 LPDDR4 記憶體的量產。

Micron 今天宣布大規模量產 12 Gb 容量的 LPDDR4X ,使用了 1Y nm (官方表示 10 nm 級別) 生產,頻率可高達 4266 MHz,同時功耗亦下降了 10%,預計明年的智能電話可以達到 12 GB RAM。

Micron 表示其 12Gb LPPDR4X 顆粒是目前業界容量最高,速度也是最快的。速度快是真的,不過它`的12Gb LPDDR4X 並不是容量最大,Samsung 早在 4 月就宣布了 16 Gb 核心容量的 LPDDR4X,頻率同樣是4266 MHz。

12 Gb 顆粒意味著單核心就有 1.5 GB 容量,4 核心就有 6 GB RAM 容量,8 核心則是 12 GB,明年差不多就會有 12 GB RAM 的高階智能電話。

除了頻率高達 4266 MHz 之外,Micron 表示其 LPDDR4X 還有功耗上的優勢,功耗降低了 10%。

Micron 12 Gb LPDDR4X 記憶體使用了 1Y nm 製程,官方表示為 10 nm 級別的,這種說法經常誤導不少人,以為是 10 nm,其實是 1X nm 之後第二代 10 nm 級製程,1X nm 大概是 16 – 19 nm,1Y 應該是 14 – 16 nm,之所以這麼模糊是因為 20 nm 節點之後 DRAM 製程也面臨各種困難,線寬指標沒有明確的數值了,所以用 XYZ 代替,在這之後還有 1α 及 1β。