DRAM
記憶體市場不達小期,DRAM 價格跌至 5 個月新低
如果有印象其實在舊年底 DRAM 的價格開始止跌回升,三大生產商 Samsung、SK Hynix 和 Micron 紛紛表示 2020 年將會逐步回升。主要理由是 5G 的爆發、智能電話需求增加、Data Center 的需求高漲等等。
不過事與願違,直至今個月,記憶體的價格反而跌至至 5 個月以來的新低。DRAM 的價格近期一直穩步下滑,截至 6 月中旬,4Gb DDR4 顆粒的中位價已跌破 2 美元,僅為 1.92 美元,創造了 2020 年 1 月份以來的新低。單是過去的一個月內,
Samsung 記憶體生產設備受污染,損失有機會遠超 10 億韓元
對於近期 Samsung 記憶體廠房發生設備污染事件,已有更多的細節公開。時間點目前有兩種說法,前周與數週前,韓國媒體披露地點位於器興 (Giheung) 工廠,事故原因是 8" 晶圓生產設備受到污染。
Samsung 發言人對外證實傳言為真,但強調目前生產狀況正常,此意外損失預計 10 億韓元 (~670 萬元港幣)。不過,一些專家指出是次實際損失遠超 Samsung 公佈的這個數字,而且官方並未有統計出來。早於今年初,Samsung 的第一代 1x nm 記憶體也在工廠階段被查出有質量
速度快 低延遲 - Toshiba 正式發佈 XL-Flash 3D SLC 記憶體
除了企業級、工業級等領域外,搭載 SLC 顆粒的 SSD 已成為歷史,即使是 MLC 亦快要絕種了,通路上的產品都是採用 TLC 甚至是更新的 QLC 記憶體顆粒。上年,Toshiba 卻發佈了全新的「 XL-Flash」,可以理解為 3D 立體封裝、延遲超低的 SLC 記憶體晶片。至於詳細資料當時並未有公佈。
如今,FMS 2019 (Flash Memory Summit) 即將開始,Toshiba 正式發布了 XL-Flash,並透露更多細節,還會於 FMS 上公佈更多架構和技術特點
日本限制對韓國的原材料出口 記憶體產品價格短時間暴升 15%
在本月初,日本限制向韓國出口氟聚酰亞胺 (Fluorine Polyimide)、光刻膠 (Resist) 和高純度氟化氫 (Eatching Gas) 三種材料,Samsung、Sk Hynix 等韓系廠商嚴重受到影響,因為記憶體顆粒將有停產的可能。
據外媒統計發現,這措施已開始影響到相關的零售市場價格,其價格在一星期之內內暴漲了 15%。業內人士表示,不少供應商由之前需求低迷,而未有囤貨,所以價格飆升已開始加劇人們的擔憂,並很快影響全球供應。
但 SONY 子公司 Vai
日本制裁韓國 全球記憶體或重新迎來漲價
上月中旬 Toshiba 位於日本四日市的 5 座閃存晶圓廠遭遇斷電事故,導致部分工廠將停產一個月,這件事使得全球 NAND 記憶體晶片的供需情況發生變化,預計 Q3 將會減少跌幅或者部分漲價 (漲價的主要是 2D 記憶體顆粒)。
不過停電的事故還沒完,這次輪到日本突然以半導體技術制裁韓國,將從 7 月 4 日起限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料的對韓出口。
日本限制出口韓國的材料主要有三大品類,分別是電視和手機 OLED 面板上使用的氟聚酰亞胺 (Fluorine