DDR5

SK Hynix 已發佈了最新的 DDR5 路線圖，並確認今年將開始限量生產下一代 DRAM。早於 2018 年 11 月亦宣布開發了業界首個根據 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM。 據 SK Hynix 表示比起 DDR4，DDR5 在提供兩倍以上的頻寬，且由 DDR3 到 DDR4，頻寬增加了 33% (從 1600 Mbps 增加到 2133 Mbps)。借助 DDR5，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。

據外媒報導稱，由於種種原因所致，Intel和AMD整體要在明年才能拿出支持DDR5記憶體的平台了。 SAMSUNG方面也已經表示，2021年量產DDR5記憶體，並且使用EUV技術，製作將會在韓國平澤的新工廠進行，三星同時宣布第一批採用EUV技術的DDR4記憶體已經放置了100萬。 SAMSUNG估計，使用EUV技術生產DDR5記憶體，其三星表示EUV技術減少了激光中多次照射的重複步驟，並提高了光刻的準確度，從而提高了性能，提高了產量，並改變了開發時間。 12英寸D1a晶圓的生產效率會

目前 DDR5 的標準與晶片生產都完成了，只差在支持的平臺出現，預計最快今年年底就會有 DDR5 記憶體產品上市，不過比較大機會在 2020 年上市。DDR5 記憶體的頻率能達到 6,400 Mbps，頻寬比現有高一倍，而 SK Hynix 近日透露已開始研發 DDR6 記憶體，預計可達 12 Gbps。 DDR5 是新一代記憶體標準，相關的規範舊年已經公佈，Samsung、Micron 之前也公佈了旗下的 16 Gb DDR5 記憶體了，而 Samsung 則公佈了 Mobile

Intel Pentium 4 發售初期，因為市面上沒有其它足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體，而選擇採用較不常見的 RDRAM 作為搭配，其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議上談到未來記憶體趨勢，DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。 如果大家還記得 Rambus 公司，可能都是較為負面的消息，但其實這家公司手上依然有許多記憶體技術專利，雖然主導的 RDRAM 無論在消費或是企業市場都以失敗收場，每年卻依靠這些專利擁有破億美金的授