電晶體密度

3nm 竟比 7nm 落後 ?! Samsung 3nm 製程的電晶體密度竟不如 Intel 7nm 製程

在 10nm 或更先進製程的半導體工藝,目前只有 Intel、台積電與 Samsung 有能力量產。近日台灣媒體 Digitimes 整理了三大晶圓廠在 10nm 至 2nm 的演進對比圖,並以電晶體密度來顯示。 圖片源自:DIGITIMES 於 10nm 部份,Intel 的密度高達 1.06億/mm²,是台積電及 Samsung 的兩倍。在 7nm 部份,Intel 預計能達到1.8億/mm²,台積電則為 9,700萬/mm²、Samsung 為 9,500萬/mm²。在 5n

彎道超車 ? IBM 宣佈已生產出全球首顆 2nm EUV 晶片,超越台積電

近日,IBM 宣佈生產了全球第一顆 2nm 製程的半導體晶片。IBM 聲稱此 2nm 晶片的電晶體密度 333.33 MTr/mm2,差不多是台積電 5nm 的兩倍。即在 150 mm2  (手甲蓋大小) 的面積,就能容納 500 億顆電晶體。 另外 IBM 表示在同樣的電力消耗下,其效能比現時 7nm 製程高出 45%,輸出同樣效能則減少 75% 的功耗。 實際上,IBM 也是率先生產出 7nm (2015 年) 及 5nm (2017 年) 晶片的生產商,而在電壓等指標的