繼早兩天 SK Hynix 宣佈在 M14 和建設中的 M16 工廠中引入 EUV 光刻機後，三星也要來跟上了。按照三星的說法，由 2014 年以來，採用 EUV 光刻的晶圓超過了400 萬片，公司已積累了豐富的經驗，亦比其它廠商掌握更多生產訣竅，領先對手約 1 到 2 年的差距。
消息指三星的 1z nm DRAM 第三代記憶體已用上了一層 EUV，而第四代 1a nm 將會增加至 4 層。EUV 光刻機的參與可減少多重曝光的工藝，提升工藝的精度，從而減少生產時間、降低成本，並提高效能。
即使 SK Hynix、Micron 等亦在嘗試 EUV 生產，但層數過少對效率提升並不明顯，也即是單位成本高，畢竟購入一台 EUV 光刻機成本要 10 億元。三星在這方面卻有不少優勢，畢竟還有自家晶圓廠，且光刻機在不少地方也可用得上，利用率很高。
