最近存儲晶片也推出了最新的規格由 UFS 2.0 / 2.1 提升到 UFS 3.0，SEQ 讀寫速度堪比 SSD。Western Digital 宣布推出新一代 iNAND 嵌入式閃存 EU511，支持最新的 UFS 3.0，最大容量 512 GB，使用了 96-Layer 3D NAND 閃存，寫入速度達到 750 MB/s，足足比上代快了一倍。宣稱為未來的 5G 設備提供更好的體驗。
Western Digital 官方沒有公佈具體的晶片類型，但估計不會是 QLC，3D TLC 的機會比較大，因為今年 1 月底 TOSHIBA 也同樣推出了 UFS 3.0 閃存，而且是 96-Layer 3D TLC 閃存，按常理兩家推出的產品步伐都大致相約。
Western Digital EU511 閃存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 規範，而 UFS 3.0 單通道雙向頻寬為 11.6 Gbps，因此雙通道的理論最高值就是 23.2 Gbps，約為 2.9GB/s。
容量方面，iNAND EU511 最低提供 64 GB，最高可達 512 GB，而且憑藉自家的 Smart SLC Generation 6 技術，提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入速度，較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 閃存已經開始給OEM客戶出樣。
