Netac 朗科科技為深圳一間電子設備生產商，而近日宣布首批 DDR5 記憶體顆粒已送抵其研發總部，並正式進入 DDR5 記憶體研發階段。
據悉是次到達的記憶體來自 Micron 的 DDR5 ES (IC 編號為 Z9ZSB) 記憶體顆粒，根據 Micron 官網查詢為 ES 樣品，顆粒容量為 2Gx8，運作時序為 40-40-40，基於 1znm 製程，尺寸為 11 x 9mm。
Netac 由 2018 年進入記憶體行業，目前已推出新款電競及國產化記憶體存產品，預計於 6 月推出 DDR4 RGB RAM。而該公司計劃投入研發可達 10,000 MHz以上的 DDR5 記憶體產品。而之前不少外國記憶體巨頭已研發出 DDR 5 高頻產品，如 Samsung、SK Hynix 等，最高頻率已達 8,400 MHz。而在大家都還未上市正式產品時，中國廠商已訂下 10,000 MHz 的目標實在令人期待，不知到真正可量產的時間會是何時呢 ?
