市場對更大更快的存儲設備需求越來越大，Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND，透過其 96 層 256Gb 架構，將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。
今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品，使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs，比上一代 V-NAND 提高 30%，將讀取信號的反應時間縮短至 50μs。除了性能提升外，新的 96 層 V-NAND 亦更省電，工作電壓為 1.2V，而之前的 64 層為1.8V。
Samsung 在新一代 V-NAND 將金字塔式的 3D Charge Trap Flash（CTF）單元堆疊到第五代 V-NAND 芯片中。每層都有人眼看不到的微細通道孔，通道孔包含超過 850 億個 CTF 單元，每個單元能夠存儲多達 3bits 資料。Samsung 沒有詳細說明，但聲稱能夠將製造生產率提高 30% 以上，並將高度降低 20%。
Samsung 計劃盡快將 96 層 V-NAND 推向市場，最初將以 256Gb(即 32GB)TLC 發布，並會有更大容量的 1Tb(即 256GB)QLC 在未來發展。
