在今個月中，日本東京舉辦了一場 ITF 論壇。於論壇上，與 ASML 合作研發光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 公佈了 3nm 及以下製程在微縮層面的技術細節。
現昤為止，ASML 對於 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 都有了清晰的路線規劃，且 1nm 時代的光刻機體積將會增大不少。
據指目前台積電、三星的 7nm、5nm 製造中已經引入了 NA=0.33 的 EUV 光刻設備，2nm 後則需要更高解像度的光刻設備，亦即是 NA=0.55。而剛好 ASML 經已完成了 0.55 NA 光刻設備的基本設計 (即 NXE：5000 系列)，預計在 2022 年實現商業化。至於光刻機尺寸大增的原因是因為光學器件增大所致。
ASML 目前在售的兩款極紫外光刻機分別是 TWINSCAN NXE:3400B 和 TWINSCAN NXE:3400C，3600D 計劃明年年中出貨，生產效率將提升 18%。
