Samsung 在官網宣佈量產 10nm 制程記憶體顆粒，這款應用在 SO-DIMM 規格的 DDR4 記憶體，單條最大 32GB，頻率最高可達 2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。
以往在 SO-DIMM 上實現 32GB 記憶體十分困難，例如的 G.SKILL 推出的Ripjaws DDR4-3800 記憶體就是用的 Samsung 高端 B-die 記憶體顆粒，但是需要用到四條 8GB 才能組成 32GB 總容量。今次 Samsung 依靠著顆粒上的優勢，量產出 10nm 級別單顆粒 16Gb（2GB）的記憶體 IC（根據官方資料顯示，這個 10nm 其實是介乎於 10-19nm），最後可以製作出單條 32GB 的 SO-DIMM 記憶體。而且頻率進一步提升至 2666MHz 水平，剛好與現時的高端第八代 Core 處理器相匹配，同時得益於先進納米制程的更低漏電率，其功耗從 7.4W 下降至 4.5W，幅度達到 39% 之多，亦代表有助提升流動平台的續航力。
Samsung 表示推出高容量高規格的 SO-DIMM 記憶體可以説明手提電腦廠商組建性能更強 Gaming Notebook，同時廠商亦會進一步擴展 10nm 制程在存儲領域的應用，未來還會推出 10nm 級別的 LPDDR4、GDDR5、DDR4 記憶體顆粒。
