在今年 3 月的時候，Samsung 是全球第一間宣佈量產 eMRAM，當時已是基於 28nm FD-SOI 的成熟工藝，記憶體容量為 8Mb，可廣泛應用於微控制器、物聯網與 AI 領域。
eMRAM 是一種非易失性記憶體，前景一直被睇好，Intel、IBM、Samsung 等巨頭多年都在研究，讀寫速度亦媲美 SRAM、DRAM 等傳統記憶體，而且又是非易失性，即斷電後數據可保存下來，綜合了傳統 DRAM 和 SRAM 的優點。
Samsung 所量產的 eMRAM 基於磁阻的存儲，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等都遠超傳統記憶體。由於不需要在寫入數據前進行擦除循環，eMRAM 的寫入速度可達到 eFlash 的約一千倍，且電壓、功耗低很多，閒置待機下完全不會耗電。
而最近 Samsung 亦已開始生產 1Gb 容量的 eMRAM，依然為 28nm FD-SOI 製程，而最新消息指其良率已經達到 90%。即使 1Gb 的容量依然遠不如現在的記憶體，但 eMRAM 的壽命超長、可靠性更遠勝其他產品，這款 eMRAM 在 105 °C 高溫下，依然能夠擦寫 1 億次，85 °C 下更高達 100 億次。
如果只是日常的使用環境，那 eMRAM 的擦寫次數甚至高達 1 萬億次，可說是不會因寫入而死亡。
