台積電在 2023 北美技術研討會上更新了其半導體路線圖，將其延展到 2026 年。台積電目前正在推進其 3nm FinFlex 工藝，也在研討會上花了一些時間去展述新技術，即 2nm GAA（Gate-all-around，閘極全環）架構技術。該公司預計在 2025 年左右與其 3nm 產品一起投入生產。此外，該公司還公佈了 N2P 和 N2X 兩個版本，分別具有背面供電和高性能計算功能，並將在 2026 年投入生產。
圖片來源：台積電
台積電已經開始量產 3nm 技術，同時也在更新其技術組合，包括 N3P、N3X 和 N3AE。N3P預 計於 2024 年下半年進入量產，比 N3E 速度快5%，功耗降低 5-10%，晶片密度提高 4%。N3X則著重於效能和時脈頻率，預計在 2025 年進入量產。此外，N3AE 提供了汽車製程設計套件，旨在讓客戶提早採用 3nm 技術來開發汽車應用產品，以便在 2025 年及時採用通過汽車製程驗證的N3A製程。
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該公司表示，其 N2 工藝預計在 2025 年底進行大量生產，而即使距離該目標還有兩年多的時間，其新技術的規格已經達到了 80% 以上。此外，該工藝還預計比其 N3E 工藝提供 10-15% 的性能提升，並節省 25-30% 的能源。該公司還沒有透露有關其 N2P 技術的具體細節，但該報告稱，僅背面供電就可以帶來兩位數的晶體管密度提高和一位數的效率提升。如果 N2P 產品要到 2027 年才上市，這將使它比英特爾晚了兩年，但前提是英特爾能夠實現其目標。
資料來源：台積電
