近年來在半導體的研發一直是由台積電領先，而稍微比較跟得上的就只有三星了，不過後者的產物卻一直飽受質疑。而在 IEEE ISSCC 大會上，三星首次展示出其採用 3nm 製程生產的晶片，這是一顆 256Mb (32MB) 容量的 SRAM 存儲晶片，也是新製程落地傳統的第一步。
而在三星的路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新製程節點，其他皆為升級改進型，包括 11 / 8 / 6 / 5 / 4nm 等等。這次三星將在 3nm 上第一次應用到 GAAFET 技術，再次實現了電晶體結構的突破，比現時 FinFET 3D 電晶體而言可算是大進步。
這次三星的第一顆 3nm SRAM 晶片採用的是 MBCFET，容量為 256Mb，面積 56 mm2。而最令三星驕傲的就是擁有著極低功耗，寫入電壓只需 0.23V，這就是受惠於 MBCFET 的多種省電技術。按照三星的說法，3GAE 工藝對比於其 7LPP 工藝，可將電晶體密度增加最多 80%，效能提升最多 30% 或是功耗降低最多 50％。
也許這終於可讓三星更好地控制晶片功耗、發熱，避免再出現以往為人詬病的問題。目前其 3nm 預計於明年投入量產，但尚未公佈任何客戶名單。至於台積電方面，3nm 製程將繼續沿用 FinFET 技術，並號稱比 5nm 電晶體密度增加 70%，效能可提升 11% 或功耗降低 27%，預計於今年稍後時間投入試產，並於明年量產。
