市場對更大更快的存儲設備需求越來越大,Samsung 近日就正式量產第五代 V-NAND,透過其 96 層 256Gb 架構,將提高 3D NAND 快閃記憶體的標準。

今次 Samsung 第五代 V-NAND 是業內首款採用 Toggle DDR 4.0 的產品,使數據在儲存和記憶體之間以高達 1.4 Gbps 的速度傳輸。比之前的 64 層 V-NAND 產品增加了 40%。其他性能增強包括將數據寫入速度提升至 500μs,比上一代 V-NAND 提高 30%,將讀取信號的反應時間縮短至 50μs。除了性能提升外,新的 96 層 V-NAND 亦更省電,工作電壓為 1.2V,而之前的 64 層為1.8V。

Samsung 在新一代 V-NAND 將金字塔式的 3D Charge Trap Flash(CTF)單元堆疊到第五代 V-NAND 芯片中。每層都有人眼看不到的微細通道孔,通道孔包含超過 850 億個 CTF 單元,每個單元能夠存儲多達 3bits 資料。Samsung 沒有詳細說明,但聲稱能夠將製造生產率提高 30% 以上,並將高度降低 20%。

Samsung 計劃盡快將 96 層 V-NAND 推向市場,最初將以 256Gb(即 32GB)TLC 發布,並會有更大容量的 1Tb(即 256GB)QLC 在未來發展。

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