SK hynix

全球兩大 DRAM 供應商 Samsung 和 SK Hynix 近期表態，他們對於大幅增加生產保持謹慎態度，目標是實現「長期」利潤最大化。這兩家公司目前控制了全球超過 70% 的 DRAM 產量，並且已經明確表示，將採取以盈利為核心的策略，面對當前的「記憶體需求高峰」情勢。 目前，全球 DRAM 市場正面臨供應短缺的挑戰，直接導致消費者層面內存價格飆升，甚至達到「難以負擔」的程度。韓國媒體《韓經》報導指出，Samsung 和 SK Hynix 認為這一短缺狀況將持續幾個季度，並且預測可能

NVIDIA 聯同 SK Hynix、Samsung 及 Micron，正合作開發一種全新的記憶體標準「SOCAMM」（System On Chip Advanced Memory Module），旨在為 AI 電腦提供更高效能與更小體積的解決方案。根據報導，這些公司目前已在交換 SOCAMM 原型進行性能測試，並預計最快今年底進行量產。 SOCAMM 相較於傳統 DRAM 及 LPCAMM（Low-Power Compression Attached Memory Modules），具備

中國記憶體製造商 CXMT 最近宣布已經開始大規模生產 DDR5 記憶體模組，這一突破為中國在科技領域的雄心注入了新的動力。在當前的地緣政治環境下，中國科技公司加快了自建生產線的步伐。CXMT 作為中國消費者記憶體模組的主要生產商，如果 CXMT 能夠積極推廣低成本的 DRAM，則可能會對 Samsung 和 SK Hynix 形成嚴重威脅，特別是在中國市場。 有趣的是，兩家中國公司 KingBank 和 Gloway已經開始在消費市場上採用 CXMT 的 DDR5 記憶體模組。這些解決方

SK hynix 最近宣布開始量產全球首款 321 層 NAND 閃存，並計劃於 2025 年上半年啟動出貨。這款 NAND 閃存是目前業界最高層數的產品，標誌著存儲技術的一次重要突破。 該 321 層 NAND 採用了 SK hynix 的 “3 plugs” 工藝技術，通過更先進的工藝流程實現三層插頭之間的電氣連接。這種創新技術不僅提升了生產效率，還引入了低應力材料，並採用了自動校正對準的技術，大幅提高了製造精度。與其上一代 238 層 NAND 相比，321 層 NAND 在生產效率

NVIDIA 在 2020 年 9 月，宣佈將以 400 億美元從軟銀手中收購 Arm，不過因多國監管機構審查與阻礙，最終被逼放棄此筆交易。隨後軟銀宣佈，準備在 2023 年 3 月 31 日的財政年度內將 Arm 上市，而這也將是半導體行業規模最大的 IPO。 雖然 NVIDIA 的收購並沒有成功，不過還有不少企業希望接手這一塊「肥豬肉」。而最近爆出一個消息指，韓國記憶體生產商 SK Hynix 在近日的股東大會上表示，正審查是否應該與戰略合作夥伴組成財團收購 Arm，不過此計劃