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Micron 12Gb LPDDR4X 記憶體量產 頻率高達 4266MHz

2018 年的智能電話容量越做做越大,Flash Memory 容量基本由 64 GB 起,128 GB 已經成為主流,而 RAM 普遍由 6GB 起,高階的則是 8 GB 甚至 10 GB。RAM 容量要再上一個層階,除了希望降價外,還有賴於於大容量 LPDDR4 記憶體的量產。 Micron 今天宣布大規模量產 12 Gb 容量的 LPDDR4X ,使用了 1Y nm (官方表示 10 nm 級別) 生產,頻率可高達 4266 MHz,同時功耗亦下降了 10%,預計明年的智能電話可以達

DRAM 連升三年,今年Q4終於開始跌價啦!!

這一輪的存儲晶片升價始於2016年中,到現在已經是第三個年頭了,NAND閃存今年初開始降價,SSD硬盤等產品價格回落了,但是記憶體晶片升價問題三年依然沒有停止,2018年前兩個季度中記憶體價格還在持續上漲,雖然漲幅已經降至5%以內。此前市場普遍預期今年底記憶體漲價就要到頭了,從現在的情況來看8月份PC記憶體合約價格持平,Q3季度內漲幅約為2%,如今現貨價格開始下跌,Q4季度要想漲價或者持平都很難了,預計年底記憶體就要開始降價了。 根據DRAMeXchange發表的報告,今年8月份PC DR

明年發佈第二代 3D Xpoint Intel 與 Micron 將徹底分手!

Intel 在官方宣佈 2019 年將會和 Micron 發佈第二代 3D Xpoint 產品後,兩家公司為了業務需求不同與及技術優化方法不一樣,將會徹底分家,至於 Optane 和 QuantX 將會成為 3D Xpoint 技術的獨立品牌。 Intel 和 Micron 早在 2005 年已經開始合作開發 NAND,聯合成立一家 Intel-Micron Flash Technologies 公司(IMFT),專門製造 NAND 快閃記憶體。直到 2015 年研發出全新的 3D XPo

Micron發布32GB DDR4 NVDIMM記憶體 自帶64GB快閃記憶體

Micron今天宣布了新一代NVDIMM-N記憶體,將DDR4記憶體與NAND快閃記憶體融合在了一起,不怕掉電。 NVDIMM即非易失性記憶體,美光研究已久,DDR3時代就做過,DDR4時代此前有8GB、16GB容量,新一代則翻番為32GB。NVDIMM-N意味著它是N類型,使用NAND做數據備份以防掉電,另外還有NVDIMM-F,純粹使用快閃記憶體。 美光的這條新記憶體自帶了64GB SLC NAND,萬一碰上掉電或者有斷電的跡象,板載FPGA就會立刻啟動,將所有運行數據轉移到快閃記憶