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[XF 新聞] 中國自行研發光刻機 「曼哈頓計劃」突破 EUV 光刻技術製造原型機
近日,中國在芯片製造領域的一項重大突破,成功研發出 EUV 光刻機的原型機。這項技術被認為是製造高端芯片的關鍵,也代表了中國在半導體技術上的一大步。
EUV 光刻機是目前全球最先進的芯片製造設備,能夠實現 10nm 以下製程的精密芯片生產。然而,該技術一直被荷蘭 ASML 公司壟斷,並且受到美國及其盟國的出口限制政策影響,中國企業難以獲得此類設備。為打破技術封鎖,中國啟動了堪比「曼哈頓計劃」的研發項目,集中資源攻破 EUV 光刻技術。
報導指出,中國企業「路透光電」已成功製造出中國首
比 ASML EUV 光刻機更先進,美國公司開發出可生產 0.7nm 晶片的光刻系統
目前 5nm 及以下的半導體先進製程皆用到 ASML 所製造的 EUV 光刻機,當中可用以生製 2nm 製程的新一代 0.55 NA EUV 光刻機售價高達 4 億美元。不過要實現比 1nm 更精細的先進製程,目前 ASML 已推出的 EUV 光刻機也暫時未能做到。
而近日美國原子精密製造公司 Zyvex Labs 則發佈了全球最高解像度的光刻機系統「Zyvex Litho1」,其厲害之處是可生產 0.7nm 製程的晶片。「Zyvex Litho1」並不是採用 EUV 光刻技術,而
未來專注 EUV 技術發展 - Intel 發佈新製程命名 Intel 7、Intel 4 及路線圖
日前 Intel 於會議內公佈了其在晶片製程及封裝的進展,當中包括全新的 CPU 製程路線圖,同時在此可見 Intel 將工藝重新命名了,10nm 命名為 Intel 7,7nm 命名為 Intel 4,未來還會有 Intel 3 及 Intel 20A。
以往由於在這個命名終落後對手,但實際技術上 Intel 的 10nm 製程其實與競爭對手的 7nm 並列,因此對 Intel 的宣傳上很不利。而這次的 10nm Enhanced SuperFin 工藝更命為 Intel 7,但
6nm 製程、定位 600 美元? Intel DG2 獨顯效能真的能挑戰 RTX 3070 嗎 ?
日前,Intel 發佈了愈 50 款 CPU 處理器,而當中 GPU 晶片產品亦陸續推出,首款 DG1 獨顯主要已用在 Notebook 上,而第二款獨顯 DG2 則有可能攻佔 NVIDIA RTX 3070 顯示卡的市場。
Intel DG2 獨顯將會使用於針對高效能遊戲領域開發的 Xe HPG 架構上,並會支援光線追蹤。而近日曝出的 Intel 顯示卡驅動中洩漏了 DG2 的部分規格,且明確提到了兩款型號,分別寫了 512 SKU、128 SKU,即代表著 512 Unit (4096
為 1nm 製程做好準備 !! 台積電正籌集資金準備大量添置最先進 High-NA EUV 光刻機
早前有消息指台積電 TSMC 正在籌集更多資金,目的是向 ASML 購入更多更先進製程的 EUV 光刻機,而這些都是為了新製程做好準備。
在不久前歐洲微電子研究中心 IMEC 的 CEO 在線上演講中表示,在與 ASML 的合作下,更先進的光刻機已經取得了重大進展。同示透露 IMEC 的目標是將下一代高解像度 EUV 光刻技術 (High-NA EUV) 商業化。由於此前的光刻機競爭對手早已陸續退出市場,目前 ASML 可說是把握著全球主要的先進光刻機產能。近年來,IMEC 一直與 ASM














