在全球對高效能記憶體需求激增的背景下，Intel 與軟銀旗下的 Saimemory 公司宣布合作研發新一代記憶體技術 Z-Angle Memory（ZAM）。該技術旨在取代目前廣泛應用於 AI 數據中心的高頻寬記憶體（HBM），並提供更高效能的解決方案。ZAM 不僅具備 2 到 3 倍的記憶體容量與更高的頻寬，還能將功耗降低一半，並能以更低的成本實現量產。
ZAM 的開發基於 Intel 的嵌入式多芯片互連橋（EMIB）技術，通過垂直堆疊更多的 DRAM 來提升容量，同時減少晶片間延遲。根據報導，該技術的成本降低達 60%，使其成為極具競爭力的記憶體解決方案。這項創新技術得益於 Intel 與美國能源部及國家核安全管理局的合作研發計畫，並結合了日本專利與 Intel 的封裝技術。
ZAM 的早期原型預計將於 2027 年推出，並計畫在 2029 年啟動量產。多家日本企業與研究機構，包括富士通、東京大學等，也參與了這項技術的設計與合作。此次合作不僅代表日本重回高端記憶體製造領域的決心，也顯示出 Intel 重新進入記憶體市場的野心。
Intel Fellow 及 Intel Government Technologies 的 CTO Joshua Fryman 表示，傳統記憶體架構已無法滿足 AI 的需求，而 ZAM 的創新堆疊與裝配技術將成為未來高頻寬記憶體的核心驅動力。這項技術的進步有望為 AI 數據中心提供更高效能、低功耗的記憶體選擇，並減少現有 HBM 的限制。
