目前 5nm 及以下的半導體先進製程皆用到 ASML 所製造的 EUV 光刻機，當中可用以生製 2nm 製程的新一代 0.55 NA EUV 光刻機售價高達 4 億美元。不過要實現比 1nm 更精細的先進製程，目前 ASML 已推出的 EUV 光刻機也暫時未能做到。
而近日美國原子精密製造公司 Zyvex Labs 則發佈了全球最高解像度的光刻機系統「Zyvex Litho1」，其厲害之處是可生產 0.7nm 製程的晶片。「Zyvex Litho1」並不是採用 EUV 光刻技術，而是採用基於 STM 掃描隧道顯微鏡，以電子束 (EBL) 進行光刻工序，可製造出具有 0.768nm 線寬 (相當於 2 個矽原子寬度) 的晶片。
不過這個 EBL 光刻系統並不能取代 EUV 光刻機，其設計是專為製造量子電腦的零部件，而其最大缺點就是產量非常低，並不可能應付現時市面的晶片需求。
