早前有消息指台積電 TSMC 正在籌集更多資金，目的是向 ASML 購入更多更先進製程的 EUV 光刻機，而這些都是為了新製程做好準備。
在不久前歐洲微電子研究中心 IMEC 的 CEO 在線上演講中表示，在與 ASML 的合作下，更先進的光刻機已經取得了重大進展。同示透露 IMEC 的目標是將下一代高解像度 EUV 光刻技術 (High-NA EUV) 商業化。由於此前的光刻機競爭對手早已陸續退出市場，目前 ASML 可說是把握著全球主要的先進光刻機產能。近年來，IMEC 一直與 ASML 研究新的 EUV 光刻機，目前目標是將製程推進到 1nm 及以下。
目前 ASML 已經完成了 NXE: 5000 系列的 High-NA EUV 曝光系統基本設計，至於設備的商業化。最快要到 2022 年，而待台積電與三星取到設備，大約要到 2023 年。與此同時，台積電在材料上的研究，亦讓 1nm 成為可能。台積電和交大聯手，開發出全球最薄，厚度僅有 0.7nm 的超薄 2D 半導體材料絕緣體，可望藉此進一步開發出 2nm 甚至 1nm 的電晶體通道。
據悉，台積電正為 2nm 後的先進製程持續尋找設廠地域，包括橋頭科、路竹科，這些均在台積電評估中長期投資設廠的考量之列。
