早前我們曾報導過各家記憶體生製商已經開始研發更高儲存密度的 PLC NAND 記憶體顆粒，而 PLC 記憶體的可達現時的 1.9 倍。對於廠商而言，QLC 的記憶體其實已成為主流了，而下一步就是要推動更低成本的 PLC。
而 Intel 在 NAND Flash lash 記憶體一直與 Micron 合作，但後期卻分道揚鑣了，他們最後合作的就是 96-Layer 3D 顆粒，分別有 TLC 及 QLC 兩種規格。而當中 QLC 的容量更可達 1024 Gbit，換算下儲存密度達到 8.9 Gbit / mm2，為目前 3D NAND 記憶體中最高的水平。
而之後的 144-Layer 記憶體 Intel 則改為自行研發，因 Intel 與 Micron 所堅持的技術有所不同，前者堅持 FG 浮柵極技術，製造難度更高，但可靠性、效能更好。144-Layer 記憶體還是以 QLC 為主，但 Intel 其後將導入 PLC (即每 cell 5 個電荷)，進一步提升密度，而代價寫入速度與可靠性再下降。
由 QLC 到 PLC 容量提升 25%，而 96-Layer 到 144-Layer 可以提升 50%，總括下來 PLC 提升了 87.5%，這麼大的誘因，所以一眾廠商都不會放棄 PLC 的研發。與目前最頂級的 QLC 相比，PLC 有近 2 倍的容量提升，現時常見的就是 1TB、2TB，但到了 PLC 的時代，估計將會由 4TB 起跳，最大容量超過 100TB 也不是難事，畢竟目前 TLC SSD 已經做到 32 – 64 TB。
