除了企業級、工業級等領域外，搭載 SLC 顆粒的 SSD 已成為歷史，即使是 MLC 亦快要絕種了，通路上的產品都是採用 TLC 甚至是更新的 QLC 記憶體顆粒。上年，Toshiba 卻發佈了全新的「 XL-Flash」，可以理解為 3D 立體封裝、延遲超低的 SLC 記憶體晶片。至於詳細資料當時並未有公佈。
如今，FMS 2019 (Flash Memory Summit) 即將開始，Toshiba 正式發布了 XL-Flash，並透露更多細節，還會於 FMS 上公佈更多架構和技術特點。
據怎，XL-Flash 介於傳統 DRAM 與 NAND Flash 記憶體之間，並且速度更高、延遲更低、容量更大，而成本卻相對下降。初期將用於 SSD 產品，未來亦可用在 NVDIMM 記憶體等傳統 DRAM 領域產品。
XL-Flash 每 Die 裸片的容量為 128Gb (16GB)，支持 2、4、8 個 Die 封裝，因此單顆容量可以做成 32GB、64GB、128GB。看上去容量確實不大，但分成了多達 16 層，並行程度要比現在的 3D NAND 高得多，同時 Page size 僅為 4KB，遠小於 3D NAND，讀寫效率更高，但基於 SLC 關係每單元只存儲 1bit 數據。
至於性能，Toshiba 表示 XL-Flash 的延遲不超過 5ms，比現時 3D TLC 的 ~50ms 提升了高達 10 倍。
當前看來 Toshiba XL-Flash 就像對準 Samsung Z-NAND 狙擊的意思。不過 Samsung 的只用於自家的 Z-SSD，而 XL-Flash 則已有多家 SSD 主控開始準備在下一代產品中支持了。消息又指其將在下個月試產，明年投入大規模量產。
