寫入速度倍增 - Toshiba 與 Western Digital 正在研發 128-Layer 3D TLC 記憶體顆粒

- 軒仔 - 2019-03-11

目前 64-Layer 3D TLC 已經是主流 SSD 選配的記憶體顆粒,用 96-Layer 顆粒的 SSD 也開始上市。然而這當然並不是終點,業界已經正在步向 128-Layer  的記憶體顆粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019,SK Hynix 還有中國內地的長江存儲已經宣布了相關的計劃,現在 Toshiba 與 Western Digital 的 128-Layer 記憶體顆粒計劃也泄漏出來了。

Blocks & Files 已經拿到 Toshiba 與 Western Digital 的128-Layer 3D NAND 的部分資料,其被命名為 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 為 BiCS 4),將會使用 CuA 設計,與非 CuA 技術相比可把晶片尺寸縮小 15%。目前公佈出來的 128-Layer 3D NAND 為 TLC 設計,存儲密度接近 96-Layer 3D QLC,若果採用 QLC 設計的話則更高。

BiCS 5 單 die 採用 4 Planes 設計,而與 2 Planes 設計相比寫入速度由 66 MB/s 提升到 132 MB/s,意味著 SSD 在 SLC Cache 用盡後 TLC 的原始寫入速度也不會太難看,不過具體寫入速度還需看主控的算法。

預計 Toshiba 與 Western Digital 將會在 2020 年末開始投產 128-Layer BiCS-5 記憶體,而要達到量產的話應該要到 2021 年。

 

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