據業界消息來源和外國媒體報導，蘋果最新的智能手機 iPhone 15 Pro，由於其移動芯片 A17 Pro 過熱問題，正陷入爭議之中。這款芯片標誌著台積電（TSMC）首次大規模生產 3 nm 製程晶片。
近期，一名中國用戶報告指出，當在 iPhone 15 Pro上 運行高負載遊戲時，該手機的溫度在 30 分鐘內急遽升至攝氏 48 度。這樣的半導體芯片過熱情況通常暗示可能存在設計缺陷或製造過程中的問題，或可能存在未能有效控制電力供應導致發熱問題出現。
一些業內人士謹慎地表示，這可能意味著 TSMC 的製程存在問題。懷疑的一個原因是，有人認為傳統的 FinFET 方法已經在微小化方面達到了極限。這種技術自 2011 年引入以來，一直是芯片設計的主流，但在尺寸接近 3nm 以下時，使用 FinFET 方法來控制電流變得困難。
更大的擔憂在於，如果第一代 3nm 產品存在缺陷，那麼基於相同技術的後續製程也可能存在問題。TSMC 已經宣布將推出幾個基於 3nm 技術的後續製程，包括首批的 N3B 之後的第二 代N3E。
較早前，三星電子在其 5nm 製程方面面臨挑戰，並在後來的 5nm 和 4nm 製程中遭遇挫折，導致其 Galaxy S22 中的芯片出現過熱問題。因此，一些重要客戶如高通轉向了 TSMC。這導致 TSMC 和三星電子之間的市場份額差距在上一季度擴大了 50.3 個百分點以上。
為了挽回局勢，三星引入了 3nm 製程的重大變革，採用了 Gate-All-Around（GAA）結構，提供更多的控制面，從而實現更精細的電流控制，減少功耗，並提高性能效率約 10％。
據韓國 Hi Investment & Securities 報告，三星的 3nm 良率估計超過 60％，相比之下，TSMC 的 3nm 良率約為 55％。人們擔心，如果對 TSMC 的 3nm 製程良率存在疑慮，一些重要客戶可能會同時轉向或采用三星的產品。TSMC 已經承認 FinFET 方法的極限，並宣布在 2nm 製程中轉向 GAA 方法，但由於最初計劃在 2nm 時大規模生產半導體，所以這一轉變可能會有所延遲。
資料來源：Business Korea
圖片來源：videocardz
