近期 PCI-E 5.0 SSD 陸續上市，不過據聞記憶體價格將進一步下跌，不急用的朋友可以再等等。而近日 Samsung 已宣佈開始大規模量產全新的 236-Layer 3D-NAND 記憶體顆粒，生產成本可進一步下降，這也能惠及相關產品的零售價格。
Samsung 這款新的 236-Layer 3D NAND 記憶體顆粒將命名為第 8 代 V-NAND，此方案可帶來 2,400 MTps 的傳輸速度，(對應的 SSD 傳輸速度輕鬆超過 12 GB/s)。同時因受惠於儲存容量更大，V-NAND V8 顆粒的厚度依舊可以控制在合理水平，封裝 512GB 容量也不超過 0.8 mm，可用於新一代智能手機中。
根據 Samsung 公佈的資料顯示，與現時相同容量的 NAND Flash 記憶體顆粒相比，新一代 3D-NAND 可提高 20% 的單晶生產率，從而進一步降低成本，這也意味著大家有望買到同容量更便宜的 SSD 產品。而未來，Samsung V-NAND 堆棧層數亦會進一步提升，路線圖中的目標是超過 500-Layer，這被視為 3D-NAND 的極限，不過 Samsung 表示屈在研究方法突破，最終有望生產 1000-Layer 堆疊的 3D-NAND Flash 記憶體。
