AMD 與 Intel 的新一代 PC 平台已經支援 DDR5 RAM。DDR5 搭配雙通道計行的頻寬輕鬆超過 50GB/s，使用高頻率的型號更逼近 100 GB/s。不過這個數據跟 HBM3 記憶體對比下，只是小巫見大巫。根據最新消息指，Samsung 已經研發出全新的 HBM3 記憶體，頻寬輕鬆超過 1,024 GB/s。
JEDEC 組織今年初發佈了 HBM3 的標準，於存儲密度、頻寬、通道、可靠性、能效等各個層面皆升級了，當中傳輸數據率在 HBM2 基礎上再次暴增，每個針腳 (pin) 的傳輸率為 6.4 Gbps / pin，配合 1024-bit 下，單顆記憶體最高頻寬可達 819 GB/s。
Samsung 新一代的 HBM3 記憶體的速率更高，達到了 8Gbps / pin，堆疊 4 顆的情況下，頻寬輕鬆達到 1024 GB/s，是 DDR5 的十幾倍。雖說頻率越高出錯率也越多，不過為此 Samsung 有更強的記憶體糾錯功能，每個 HBM 記憶體晶片都內置了 1 組 ECC 糾錯電路，確保數據準確性。
不過目前 Samsung HBM3 還沒有公佈何時上市，但首發應該會用於數據中心顯示卡及處理器上，消費級平台使用的可能性不大，畢竟 HBM3 的成本是普通用戶無法承受的。
